时间：2025/9/10 1:02:42
阅读：11
TND20V-112KB00AAA0是一款由东芝（Toshiba）生产的IGBT模块，适用于高功率应用。该模块设计用于工业电机驱动、电力转换系统和可再生能源系统等领域，具备高可靠性和高效率的特性。
集电极-发射极电压（VCES）：1200V
额定集电极电流（IC）：20A
短路耐受能力：60A（10μs）
工作温度范围：-40°C至+150°C
封装类型：双列直插式封装（DIP）
隔离电压：2500Vrms
导通压降：约1.7V（典型值）
开关损耗：低功耗优化设计
TND20V-112KB00AAA0具备优异的热性能和电气性能，采用先进的IGBT芯片技术，确保在高频率开关应用中的稳定性和可靠性。模块内部集成有快速恢复二极管，能够有效减少反向恢复损耗，提高系统效率。此外，该模块具有良好的绝缘性能，适用于需要高电气隔离的应用场景。
其封装设计符合行业标准，便于安装和散热管理，适合用于紧凑型功率电子设备。模块的短路保护能力也使其在异常工作条件下具备更强的鲁棒性，延长设备寿命并提高系统安全性。
该模块广泛应用于工业变频器、伺服驱动器、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器以及电动汽车充电设备等高功率电子系统中。由于其高可靠性和高效的能量转换能力，也适用于需要频繁开关操作和高负载能力的电力电子设备。
TND20V-112KB00ABA0, TND20V-112KB00ABB0
