时间：2025/12/26 19:25:10
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IRFPS35N50L是一款由Infineon Technologies（英飞凌科技）生产的高性能N沟道功率MOSFET，广泛应用于高电压、高电流的开关电源和功率转换系统中。该器件采用先进的平面栅极技术制造，具备低导通电阻、高效率和优异的热稳定性等特点，适合在要求严苛的工业与消费类电子设备中使用。IRFPS35N50L的漏源击穿电压高达500V，能够承受瞬态高压冲击，适用于离线式开关电源（SMPS）、AC-DC转换器、DC-DC变换器以及电机驱动等应用场合。其封装形式为TO-220AB，具备良好的散热性能和机械强度，便于安装在散热片上以提高长期运行的可靠性。该MOSFET设计优化了开关特性和导通损耗之间的平衡，在高频工作条件下仍能保持较高的整体效率。此外，器件内部集成了快速恢复体二极管，有助于减少外部元件数量并提升系统响应速度。IRFPS35N50L符合RoHS环保标准，并通过了多项国际安全认证，确保在各种环境下稳定运行。由于其出色的电气性能和坚固的封装结构，这款MOSFET被广泛用于电视电源、LED驱动电源、UPS不间断电源及光伏逆变器等高功率密度产品中。
型号：IRFPS35N50L
制造商：Infineon Technologies
晶体管类型：N沟道
漏源电压（Vds）：500 V
漏极电流（Id）@25°C：9.4 A
漏极电流（Id）@100°C：6.3 A
栅源电压（Vgs）：±30 V
导通电阻（Rds(on)）@10V：0.35 Ω
导通电阻（Rds(on)）@5V：0.45 Ω
阈值电压（Vgs(th)）：4 V @ 250 μA
最大功耗（Pd）：150 W
工作结温范围：-55 °C 至 +150 °C
封装类型：TO-220AB
IRFPS35N50L具备多项关键特性，使其成为中高功率电源应用中的理想选择。首先，其500V的高漏源击穿电压确保了在高压环境下的可靠运行，尤其适用于接入市电的离线式电源系统，能够在电网波动或瞬态过压情况下保持稳定。
其次，该器件具有较低的导通电阻（典型值为0.35Ω @ Vgs=10V），有效降低了导通状态下的功率损耗，提升了整体能效，这对于需要长时间连续工作的设备尤为重要。此外，低Rds(on)也有助于减少发热，从而延长元器件寿命并降低对散热系统的要求。
第三，IRFPS35N50L采用了优化的平面栅极工艺，实现了良好的开关速度与EMI噪声之间的平衡。其输入电容和输出电容较小，使得在高频开关应用中驱动电路负担较轻，同时减少了开关过程中的能量损耗，提高了转换效率。
第四，该MOSFET具备较强的抗雪崩能力，能够在突发短路或负载突变时吸收一定的能量而不损坏，增强了系统的鲁棒性。集成的体二极管具有较快的反向恢复特性，有助于抑制电压尖峰，减少电磁干扰，特别适合在硬开关拓扑如反激式（Flyback）或正激式（Forward）转换器中使用。
第五，TO-220AB封装不仅提供了优良的热传导路径，还具备足够的机械强度和电气隔离性能，适用于多种安装方式。器件符合工业级温度范围要求（-55°C至+150°C），可在极端环境条件下稳定工作。此外，该产品通过AEC-Q101等可靠性测试，适用于对安全性要求较高的应用场景。
IRFPS35N50L广泛应用于各类中高功率电力电子系统中。最常见的用途是作为主开关管用于离线式开关电源（SMPS），特别是在200W以下的反激变换器拓扑中表现优异，常见于液晶电视、显示器、打印机等家电和办公设备的电源模块。
在AC-DC电源适配器和充电器中，该器件可用于实现高效能的能量转换，满足能源之星等能效标准。同时，它也适用于DC-DC升压或降压变换器，在通信电源、工业控制电源等领域提供稳定的功率输出。
此外，IRFPS35N50L还可用于UPS（不间断电源）系统中的逆变驱动部分，承担直流到交流的能量转换任务，保障关键设备在断电时持续运行。在太阳能光伏逆变器中，该MOSFET可用于前级DC-DC升压环节，将太阳能板输出的低压直流电提升至适合逆变的电压水平。
在电机驱动应用中，尤其是小功率直流电机或步进电机的H桥驱动电路中，IRFPS35N50L可以作为低端或高端开关使用，提供快速响应和低损耗控制。此外，它也被用于LED恒流驱动电源中，特别是在大功率照明系统中实现高效的恒流调节。
由于其高耐压、高可靠性和良好的热性能，该器件同样适用于工业自动化设备、医疗电源、电动工具电源模块等对安全性和稳定性有较高要求的领域。
SPW35N50CFD-GE3
