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IRFPS30N60K 发布时间 时间:2025/12/26 20:36:44 查看 阅读:17

IRFPS30N60K是一款由Infineon Technologies(英飞凌科技)生产的高性能N沟道功率MOSFET,广泛应用于高电压、高功率的开关电源和逆变器系统中。该器件采用先进的平面栅极技术制造,具有出色的热稳定性和可靠性,适用于工业控制、消费电子以及可再生能源等领域的电力转换应用。IRFPS30N60K封装在TO-247形式中,具备良好的散热性能,能够承受较高的结温,从而确保在恶劣工作环境下的长期稳定性。这款MOSFET的设计目标是提供低导通电阻、快速开关速度和高雪崩能量耐受能力,以满足现代高效能电源系统对效率和紧凑性的严格要求。其主要特点包括优化的门极电荷特性、较低的输出电容以及增强的dv/dt抗扰度,这些都显著提升了系统的整体效率并减少了电磁干扰。此外,该器件还内置了反向二极管,可用于续流或能量回馈路径,在桥式拓扑结构中发挥重要作用。由于其额定电压高达600V,且连续漏极电流可达30A,因此非常适合用于PFC(功率因数校正)电路、DC-DC转换器、AC-DC电源模块以及太阳能逆变器等高压应用场景。
  作为一款成熟的工业级产品,IRFPS30N60K遵循严格的制造标准,并通过了多项国际安全与可靠性认证。它不仅具备优异的电气性能,还在制造过程中采用了环保材料,符合RoHS指令要求,适合无铅焊接工艺。该器件的工作温度范围宽广,从-55°C到+150°C,使其能够在极端温度条件下稳定运行。对于设计工程师而言,使用IRFPS30N60K可以有效简化外围电路设计,降低系统整体成本,同时提高功率密度和转换效率。结合适当的驱动电路和散热管理方案,该MOSFET可在高频开关条件下实现极低的动态损耗,进一步提升系统效能。总体来说,IRFPS30N60K是一款集高耐压、大电流承载能力和优良热性能于一体的先进功率器件,是中高端电力电子系统中的理想选择之一。

参数

型号:IRFPS30N60K
  制造商:Infineon Technologies
  器件类型:N沟道MOSFET
  最大漏源电压(Vds):600 V
  最大漏极电流(Id):30 A
  导通电阻(Rds(on)):典型值 0.065 Ω,最大值 0.085 Ω(在Vgs=10V时)
  栅极阈值电压(Vgs(th)):2.1 V 至 4.0 V
  最大栅源电压(Vgs):±30 V
  最大功耗(Pd):300 W
  工作结温范围(Tj):-55 °C 至 +150 °C
  存储温度范围(Tstg):-55 °C 至 +150 °C
  输入电容(Ciss):典型值 4000 pF
  输出电容(Coss):典型值 1000 pF
  反向恢复时间(trr):典型值 100 ns
  封装形式:TO-247

特性

IRFPS30N60K具备多项关键特性,使其成为高压功率转换应用中的优选器件。首先,其低导通电阻Rds(on)显著降低了导通状态下的功率损耗,提高了系统效率。在Vgs=10V条件下,Rds(on)最大仅为85mΩ,这意味着即使在大电流负载下也能保持较低的温升,有助于减小散热器尺寸并提升功率密度。其次,该器件拥有出色的开关性能,得益于优化的栅极电荷Qg和低输入/输出电容,使得在高频操作时动态损耗大幅下降,特别适合用于工作频率较高的开关电源设计。此外,IRFPS30N60K具有较强的雪崩能量耐受能力,能够在瞬态过压或感性负载切换过程中吸收一定量的能量而不损坏,增强了系统的鲁棒性和可靠性。
  另一个重要特性是其优秀的热稳定性。采用TO-247封装,具有较大的芯片面积和良好的热传导路径,使器件能够有效地将内部热量传递至外部散热系统,从而维持较低的结温。这不仅延长了器件寿命,也允许在更高环境温度下持续运行。同时,该MOSFET具备良好的dv/dt和di/dt抗扰度,能有效防止因电压或电流突变引起的误触发或寄生导通现象,提升系统在复杂电磁环境中的稳定性。
  内置的体二极管具有较快的反向恢复特性,典型反向恢复时间trr为100ns,减少了反向恢复期间的能量损耗和尖峰电压,有利于降低EMI噪声水平。这对于桥式拓扑如半桥或全桥逆变器尤为重要。此外,该器件支持并联使用,由于其正温度系数的导通电阻特性,多个IRFPS30N60K并联时可实现自然均流,避免局部过热问题,适用于需要更大输出电流的应用场景。
  最后,IRFPS30N60K符合工业级质量标准,具备高可靠性和长寿命,经过严格的筛选和测试,适用于严苛的工作条件。其符合RoHS规范,支持无铅回流焊工艺,适应现代绿色制造趋势。综合来看,这些特性共同构成了一个高效、可靠且易于集成的高压功率解决方案核心元件。

应用

IRFPS30N60K广泛应用于各类高电压、高效率的电力电子系统中。常见用途包括:开关模式电源(SMPS),尤其是大功率AC-DC和DC-DC转换器;功率因数校正(PFC)电路,作为升压斩波器中的主开关器件,利用其高耐压和低损耗特性提升系统效率;太阳能光伏逆变器,用于直流侧的功率转换阶段,实现高效的能量馈网;不间断电源(UPS)系统,在逆变和整流模块中承担关键开关功能;电机驱动系统,特别是在工业变频器中用于控制交流电机的速度和转矩;感应加热设备,凭借其快速开关能力和高耐压优势,适用于高频谐振变换拓扑;此外,还被用于电信电源、服务器电源、LED大功率驱动电源以及各类工业电源模块中。由于其具备高可靠性和宽温度工作范围,该器件也非常适合部署在户外或高温环境中运行的设备上。

替代型号

SPW30N60CFD

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IRFPS30N60K参数

  • 制造商Vishay
  • 产品种类MOSFET
  • 晶体管极性N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压600 V
  • 闸/源击穿电压+/- 30 V
  • 漏极连续电流30 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通)0.19 Ohms
  • 配置Single
  • 最大工作温度+ 150 C
  • 安装风格Through Hole
  • 封装 / 箱体TO-274AA
  • 封装Tube
  • 下降时间50 ns
  • 最小工作温度- 55 C
  • 功率耗散450 W
  • 上升时间120 ns
  • 工厂包装数量500
  • 典型关闭延迟时间56 ns