时间：2025/7/2 16:16:31
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EMB20P03G 是一款高性能的 MOSFET 器件，采用增强型 P 沟道技术设计。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点，适合用于电源管理、负载开关以及电机驱动等应用领域。
其封装形式为 SOT-23 小型表面贴装封装，具备良好的热性能和电气特性，能够在较宽的工作电压范围内稳定运行。
型号：EMB20P03G
类型：P沟道 MOSFET
封装：SOT-23
漏源极电压(Vds)：30V
连续漏极电流(Id)：2A
栅极-源极电压(Vgs)：±8V
导通电阻(Rds(on))：1.6Ω（最大值，在 Vgs=-4.5V 时）
功耗(Ptot)：410mW
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
EMB20P03G 的主要特性包括：
1. 高效的 P 沟道结构，确保低导通损耗。
2. 超低的 Rds(on)，减少功率消耗。
3. 快速开关能力，适合高频电路应用。
4. 提供出色的 ESD 保护性能，提高系统可靠性。
5. 小尺寸 SOT-23 封装，易于集成到空间受限的设计中。
6. 宽泛的工作温度范围，适应各种恶劣环境条件。
该器件广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源 (SMPS) 中的负载开关。
2. 电池供电设备中的电源路径管理。
3. 便携式电子设备中的过流保护。
4. 电机驱动和继电器控制电路。
5. 数据通信接口的信号切换。
6. 各类消费类电子产品及工业控制系统中的电源管理模块。
IRLML6402TRPBF, SI2304DS-T1-E3
