型号：IRFPS2815
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压VDS：600 V
　　最大连续漏极电流ID：4.3 A @ TC = 25°C
　　脉冲漏极电流IDM：17 A
　　最大栅源电压VGS：±30 V
　　导通电阻RDS(on)：max 1.9 Ω @ VGS = 10 V
　　导通电阻RDS(on)：max 2.4 Ω @ VGS = 10 V（典型值）
　　阈值电压VGS(th)：3.0 V ~ 4.5 V
　　栅极电荷Qg：typ 32 nC @ VDS = 500 V, ID = 4.3 A
　　输入电容Ciss：typ 1100 pF @ VDS = 25 V
　　输出电容Coss：typ 380 pF @ VDS = 25 V
　　反向恢复时间trr：typ 140 ns
　　二极管正向压降VSD：1.2 V @ IS = 4.3 A
　　最大功耗PD：60 W
　　工作结温范围TJ：-55 °C 至 +150 °C
　　封装形式：TO-220AB
　　安装方式：通孔安装

IRFPS2815采用了英飞凌先进的Superjunction（超级结）技术，这种结构显著降低了器件的导通电阻RDS(on)，同时保持了高击穿电压能力，从而实现更高的功率密度和转换效率。其低RDS(on)特性使得在大电流工作状态下产生的导通损耗大幅减少，有助于提升电源系统的整体能效并降低散热需求。
　　该MOSFET具有出色的开关性能，得益于较低的栅极电荷Qg和输出电容Coss，能够实现快速的开启与关断动作，从而减小开关过程中的动态损耗。这对于高频开关电源应用尤为重要，例如PFC电路、LLC谐振变换器以及隔离式DC-DC模块。此外，较低的反向恢复电荷Qrr和较短的反向恢复时间trr使得体二极管在续流过程中引起的损耗和电磁干扰（EMI）得到有效抑制，进一步提高了系统稳定性与可靠性。
　　IRFPS2815具备强大的雪崩耐量能力，能够在瞬态过压或感性负载切换时承受一定的能量冲击而不损坏，增强了器件在恶劣工况下的鲁棒性。其额定工作结温可达+150°C，并配合高效的封装热传导路径，确保长时间高负荷运行下的温度可控性。
　　该器件还具备良好的抗di/dt和dv/dt能力，减少了因寄生参数引发的误触发风险。同时，宽范围的栅源电压容限（±30V）使其在驱动电路设计上更具灵活性，兼容多种常见的MOSFET驱动器IC。TO-220AB封装提供了良好的机械强度与散热性能，便于安装于散热片上以增强热管理效果。

IRFPS2815广泛应用于各类中高功率开关电源系统中。典型用途包括离线式反激变换器、有源钳位正激转换器以及桥式拓扑结构中的主开关器件。在工业电源领域，它被用于UPS不间断电源、服务器电源和通信电源模块中，承担主功率开关功能。
　　在新能源相关应用中，该器件适用于光伏逆变器的辅助电源部分、储能系统的DC-DC转换环节以及电动汽车车载充电机（OBC）的次级侧同步整流或初级侧开关单元。此外，在电机驱动控制系统中，IRFPS2815可用于中小功率的三相逆变桥臂，实现对交流或永磁同步电机的有效控制。
　　由于其高耐压特性和良好的动态响应能力，该MOSFET也常见于LED恒流驱动电源、医疗设备电源以及工业自动化控制设备中的隔离电源设计。在家电领域，如空调、洗衣机等变频控制器中，也可作为功率开关元件使用。其高可靠性和环境适应性使其成为工业级和准汽车级应用的理想选择。

SPW28N60CFDG
　　FQA4N60C
　　KIA2803