16CTQ100 时间：2025/10/28 9:49:43 阅读：9

16CTQ100是一款高性能的碳化硅（SiC）肖特基二极管，由ONSEMI（安森美）公司生产。该器件专为高效率、高频率和高温工作环境设计，广泛应用于现代电力电子系统中。与传统的硅基二极管相比，16CTQ100利用碳化硅材料的优势，实现了更低的正向导通压降、极快的反向恢复速度以及出色的热稳定性。其额定平均正向整流电流为16A，最大反向重复峰值电压为100V，适用于需要高效能功率转换的场合。该器件采用TO-247封装，具有良好的散热性能和机械强度，适合在紧凑型电源模块中使用。由于其无反向恢复电荷（Zero Recovery Charge）特性，能够显著减少开关损耗，提升整体系统效率，特别适用于高频DC-DC转换器、太阳能逆变器、电动汽车充电系统及工业电机驱动等应用领域。此外，16CTQ100具备出色的抗浪涌能力和长期可靠性，能够在恶劣环境下稳定运行，是替代传统快恢复二极管的理想选择。

参数

类型：碳化硅肖特基二极管
　　最大反向重复峰值电压（VRRM）：100V
　　平均正向整流电流（IF(AV)）：16A
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：180A（单个半正弦波，60Hz）
　　正向电压降（VF）：典型值1.55V（在16A, TJ=25°C条件下）
　　反向漏电流（IR）：最大50μA（在100V, TJ=25°C）；随温度升高略有增加
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +175°C
　　存储温度范围（TSTG）：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：TO-247-2L
　　热阻（RθJC）：约1.2°C/W（典型值）
　　反向恢复时间（trr）：无反向恢复电荷，接近零恢复特性

特性

16CTQ100的核心优势在于其采用碳化硅（SiC）半导体材料制造，这使得它在多个关键性能指标上远超传统硅基二极管。首先，其最显著的特性是无反向恢复电荷（Zero Qrr），这意味着在从导通状态切换到截止状态时，不会产生反向恢复电流尖峰。这一特性极大地减少了开关过程中的能量损耗，尤其在高频开关电源中效果显著，有助于提高系统整体效率并降低电磁干扰（EMI）。其次，尽管其正向导通压降略高于部分低电压硅二极管，但在高温工况下仍能保持稳定的VF特性，且随着结温上升，VF变化较小，表现出优异的热稳定性。
　　另一个重要特性是其宽泛的工作结温范围，支持从-55°C到+175°C的极端温度环境运行，使其适用于高温工业设备、汽车电子和航空航天等领域。同时，器件具备高达180A的峰值浪涌电流承受能力，可在短时过载或启动冲击下保持可靠运行。TO-247封装不仅提供了良好的电气隔离和机械强度，还通过底部散热片实现高效的热传导，便于集成到风冷或液冷冷板系统中。
　　此外，16CTQ100对dv/dt噪声具有较强的耐受能力，避免了因快速电压变化引发的误导通问题。其固有的单极性工作原理也消除了少数载流子存储效应，从而进一步提升了动态响应速度。这些综合特性使该器件成为构建高密度、高效率电源系统的理想组件，特别是在追求小型化和节能目标的应用中表现突出。

应用

16CTQ100因其卓越的电气和热性能，广泛应用于多种高要求的电力电子系统中。在DC-DC转换器中，尤其是在升压（Boost）和降压-升压（Buck-Boost）拓扑结构中，该器件常被用作输出整流二极管或续流二极管，利用其零反向恢复特性来降低开关损耗，提升转换效率，并允许更高的开关频率，从而减小磁性元件和滤波器的体积，实现电源系统的小型化与轻量化。
　　在太阳能光伏逆变器中，16CTQ100可用于直流侧的防反二极管或MPPT电路中的功率路径管理，其低漏电流和高耐压能力确保了在长时间户外运行下的稳定性和安全性。对于电动汽车车载充电机（OBC）和直流快充桩，该器件能够在高功率密度和高温环境下持续工作，有效提升充电效率并延长系统寿命。
　　此外，在工业电机驱动、不间断电源（UPS）、服务器电源和通信电源等高端电源设备中，16CTQ100也常用于PFC（功率因数校正）电路中的升压二极管，配合IGBT或MOSFET实现高效能的能量转换。其出色的抗浪涌能力和长期可靠性，使其在电网波动频繁或负载突变的应用场景中表现出色。总之，凡是需要高效率、高频率、高温稳定性和高可靠性的功率整流场合，16CTQ100都是极具竞争力的解决方案。