时间：2025/4/28 17:23:56
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IRFPG50PBF 是一款由英飞凌（Infineon）生产的N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，非常适合用于要求高效能的电源管理和功率转换应用。其封装形式为TO-263（D2PAK），便于散热并支持表面贴装技术（SMT）。该MOSFET广泛应用于DC-DC转换器、电机驱动、负载开关等领域。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：40A
导通电阻（典型值）：18mΩ
栅极电荷（典型值）：75nC
输入电容：1640pF
开关速度：高
工作结温范围：-55℃至+150℃
IRFPG50PBF 的主要特性包括：
1. 低导通电阻设计，。
2. 高额定电流能力，可满足大功率应用场景的需求。
3. 快速开关性能，能够降低开关损耗，适合高频应用。
4. 采用TO-263封装，具备良好的散热性能且兼容表面贴装工艺。
5. 具有较高的雪崩击穿能力和鲁棒性，能够承受瞬态过压条件。
6. 符合RoHS标准，环保无铅材料。
IRFPG50PBF 常见的应用领域包括：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关或同步整流元件。
2. DC-DC转换器中的功率级开关。
3. 电机控制和驱动电路中的功率开关。
4. 电池管理系统中的负载开关。
5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
6. 汽车电子系统的功率管理单元。
IRFP2907PBF, IRFPG50N
