类型：MOS FET继电器（双向）
　　电路形式：单极单掷（SPST-NO）
　　输入正向电压（VF）：1.2V（典型值）
　　输入反向电压（VR）：5V
　　输入电流（IF）：5mA（推荐工作条件）
　　输出负载电压（VOFF）：40V（最大值）
　　输出连续通态电流（IO）：760mA（最大值）
　　导通电阻（RON）：8Ω（最大值，典型值约6Ω）
　　关断状态漏电流（IDOFF）：1μA（最大值）
　　接通时间（tON）：1ms（最大值）
　　关断时间（tOFF）：1ms（最大值）
　　工作温度范围：-20°C 至 +85°C
　　存储温度范围：-40°C 至 +125°C
　　绝缘电压（VIORM）：5000Vrms（1分钟耐压）
　　封装形式：TSON-4（表面贴装）

G3VM-401D的最大特性之一是采用了先进的光耦合MOSFET技术，实现了真正的无触点开关操作，彻底避免了传统电磁继电器因机械磨损而导致的寿命下降问题。这种结构不仅显著延长了使用寿命，还能在高频切换应用中保持稳定的性能表现。该器件的输入侧仅需低至5mA的驱动电流即可可靠触发，兼容TTL或CMOS逻辑电平输出，便于直接连接微控制器、DSP或其他数字逻辑电路，无需额外的驱动电路，降低了整体系统复杂性和成本。此外，其快速响应时间（开通和关断均不超过1ms）使其非常适合需要精确时序控制的应用场景，例如自动测试设备中的信号路由切换或数据采集系统的通道选择。
　　另一个关键优势在于其输出端采用双MOSFET背对背连接结构，使得器件能够双向导通，既可用于直流负载控制，也可用于交流信号开关，灵活性远高于单极性半导体开关。该结构还能有效抑制反向电流和电压瞬变，提高系统安全性。G3VM-401D的导通电阻低至8Ω（最大值），在承载760mA连续电流时功耗较低，有助于减少发热并提升能效。配合TSON-4小型化表面贴装封装，该器件非常适合用于便携式设备或高集成度模块中。封装本身具备良好的热传导性能，可通过PCB焊盘进行有效散热，进一步增强长期运行的可靠性。
　　该器件还具备优异的电气隔离性能，输入与输出之间可承受高达5000Vrms的隔离电压，符合国际安全标准要求，适用于需要高绝缘等级的工业和医疗设备。由于没有电磁线圈和活动部件，G3VM-401D在运行过程中不产生电磁干扰（EMI），也不会受到外部磁场影响，抗干扰能力强，适合在精密仪器和高噪声环境中使用。同时，器件无触点弹跳现象，消除了开关瞬间的瞬态脉冲，提高了信号完整性。综合来看，G3VM-401D是一款高性能、高可靠性的固态继电器解决方案，兼顾了小型化、低功耗与强驱动能力，是现代电子系统中替代传统电磁继电器的理想选择。

G3VM-401D广泛应用于各类需要安全隔离和可靠开关控制的电子系统中。在工业自动化领域，常用于PLC（可编程逻辑控制器）的I/O模块、传感器信号切换、气动/液压阀控制以及小型执行器驱动，凭借其长寿命和抗振动特性，特别适合恶劣工业环境下的连续运行。在测试与测量设备中，如自动测试仪（ATE）、数据记录仪或多通道扫描系统，G3VM-401D被用来实现高速、低噪声的信号路径切换，确保测试结果的准确性和重复性。通信设备中也常见其身影，用于电话交换系统、音频信号路由或远程配置切换，得益于其无电磁干扰和双向导通能力，可有效防止信号失真。
　　医疗电子设备对安全性和稳定性要求极高，G3VM-401D的高绝缘电压和无电弧特性使其适用于病人监护仪、诊断设备和实验室分析仪器中的电源或信号控制回路，保障患者和操作人员的安全。在消费类电子产品中，如高端音响系统、智能家居控制模块或电池管理系统（BMS），该器件可用于电池充放电路径切换、负载通断控制或保护电路的执行单元。此外，在汽车电子测试台、车载信息娱乐系统原型开发以及新能源领域的充电桩控制板中，G3VM-401D也发挥着重要作用。由于其表面贴装封装易于自动化装配，适合大批量生产，因此在需要高一致性与高可靠性的SMT生产工艺中备受青睐。

G3VM-202P,G3VM-21LR,G3VM-41LR