时间：2025/7/15 18:06:00
阅读：9
IRFP9140N是一款P沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由Infineon Technologies公司生产。这款MOSFET专门设计用于高功率应用，具有低导通电阻、高耐压和高电流承载能力等优点，适合用于电源管理和功率转换电路中。IRFP9140N采用TO-262封装，便于散热和安装在各种电子设备中。
类型：P沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：-10A
漏源击穿电压（VDS）：-100V
栅源击穿电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on))：典型值为0.16Ω（在VGS = -10V时）
工作温度范围：-55°C至+175°C
IRFP9140N的主要特性包括其低导通电阻，这使得器件在导通状态下具有较低的功率损耗，从而提高了整体系统的效率。该MOSFET能够在高电压和高电流条件下稳定工作，适用于需要高可靠性和高性能的应用场景。此外，IRFP9140N具备较高的热稳定性，可以在恶劣的环境条件下运行。
IRFP9140N还具有快速开关特性，使其在高频开关应用中表现出色。由于其封装设计优良，能够有效地散热，因此在高功率应用中具有较长的使用寿命和较高的可靠性。该器件还具有良好的抗静电性能，能够在制造和使用过程中提供额外的保护。
IRFP9140N广泛应用于各种电力电子设备中，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机控制器、负载开关、电池管理系统（BMS）以及汽车电子系统等。由于其高性能和可靠性，IRFP9140N也非常适合用于工业自动化设备和消费类电子产品中的功率管理电路。
IRF9Z34N, IRF9630, IRF9540N
