型号：IRFP4868
　　制造商：Infineon Technologies
　　封装类型：TO-247
　　晶体管极性：N沟道
　　漏源电压VDS：75V
　　连续漏极电流ID：300A
　　脉冲漏极电流IDM：1000A
　　栅源电压VGS：±25V
　　导通电阻RDS(on)：max 1.8mΩ @ VGS=10V
　　导通电阻RDS(on)：max 2.2mΩ @ VGS=4.5V
　　栅极阈值电压VGS(th)：2.0V ~ 4.0V
　　输入电容Ciss：typ 14000pF
　　输出电容Coss：typ 2000pF
　　反向恢复时间trr：typ 45ns
　　最大功耗PD：1000W
　　工作结温范围：-55°C ~ +175°C

IRFP4868具备卓越的导通性能和开关特性，得益于其基于先进Trench沟槽技术的晶圆工艺，实现了极低的导通电阻RDS(on)，典型值仅为1.8mΩ（在VGS=10V时），这显著降低了在大电流条件下的功率损耗，提高了系统的整体能效。该器件可在VGS低至4.5V时正常工作，RDS(on)仍可控制在2.2mΩ以内，使其兼容于多种逻辑电平驱动电路，包括基于3.3V或5V的控制器输出，从而简化了栅极驱动设计。高电流承载能力是其另一大亮点，连续漏极电流可达300A，脉冲电流高达1000A，非常适合需要瞬间大电流输出的应用，如电机启动、逆变器换相或电焊设备中的功率切换。
　　该MOSFET具有出色的热稳定性，其最大工作结温达到+175°C，并配备高效的TO-247封装，热阻RθJC（结到壳）低至0.15°C/W，有助于快速将内部热量传导至散热器，防止因局部过热导致的性能下降或器件失效。此外，IRFP4868内置的体二极管具有快速反向恢复特性，反向恢复时间trr典型值为45ns，能够有效减少在感性负载开关过程中产生的反向恢复电荷和电压尖峰，降低电磁干扰（EMI）并提升系统可靠性。该器件还具备高抗雪崩能力，经过严格测试可承受重复性雪崩事件，确保在电源短路、负载突变或电感断续等异常工况下仍能维持功能完整性。
　　在可靠性方面，IRFP4868通过了AEC-Q101等车规级认证，适用于汽车电子中的高功率模块，例如车载充电机（OBC）、DC-DC变换器及电动助力转向系统。其栅氧化层设计优化了阈值电压稳定性，在高温和长期使用条件下仍能保持一致的开启特性，避免误触发或驱动不足问题。同时，器件对dv/dt和di/dt具有良好的抗扰度，能够在高频硬开关环境中稳定运行。综合来看，IRFP4868凭借其低RDS(on)、高电流密度、优良热性能和强健的保护机制，成为现代高功率密度电源系统中理想的功率开关元件。

IRFP4868广泛应用于各类高功率、高效率的电力电子系统中。典型应用场景包括大功率DC-DC转换器，特别是在服务器电源、电信整流器和工业母线降压变换中，利用其低导通电阻来减少能量损耗并提升转换效率。在电机驱动领域，该器件可用于直流无刷电机（BLDC）和步进电机的H桥驱动电路，支持高动态响应和精确的速度控制，常见于工业自动化设备、机器人执行机构和电动工具中。此外，它也适用于大电流开关电源（SMPS）拓扑结构，如同步整流、半桥和全桥架构，尤其在千瓦级以上电源模块中表现优异。
　　在新能源系统中，IRFP4868被用于太阳能逆变器的直流侧开关单元、储能系统的双向DC-DC变换器以及电动汽车的车载充电机（OBC）和辅助电源模块。其高脉冲电流能力和抗雪崩特性使其能在电池充放电过程中应对瞬态冲击，保障系统安全。在焊接设备、感应加热和电磁炉等大功率家电产品中，该MOSFET可用于高频逆变电路，实现高效能量转换。此外，由于其TO-247封装便于安装散热器和进行并联扩展，因此在需要多管并联以分担电流的高功率设计中尤为受欢迎。其高可靠性和宽温工作范围也使其适用于户外通信基站电源、轨道交通控制系统和军工电源等严苛环境下的电力控制单元。

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　　 "IRFP4468",
　　 "IRFP4410",
　　 "IXFH300N10P",
　　 "SPD300N6NC3"
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