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IRFP460HPBF 发布时间 时间:2025/5/22 12:22:12 查看 阅读:14

IRFP460HPBF是一款由Infineon(英飞凌)生产的N沟道功率MOSFET,采用TO-247封装形式。该器件专为高频开关应用设计,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,适用于电源转换、电机驱动、逆变器等高效率应用场景。
  IRFP460HPBF基于先进的MOSFET技术,能够承受较高的电压,并且在大电流条件下依然保持较低的功耗,这使其成为众多工业和消费电子领域的理想选择。

参数

最大漏源电压:500V
  连续漏极电流:18A
  导通电阻:0.19Ω
  栅极电荷:35nC
  输入电容:1750pF
  最大工作结温:175°C
  封装形式:TO-247

特性

IRFP460HPBF的主要特点包括:
  1. 高耐压能力,可承受高达500V的漏源电压,确保在高压环境下的稳定运行。
  2. 低导通电阻(0.19Ω),降低导通损耗,提升整体效率。
  3. 快速开关性能,得益于其较低的栅极电荷(35nC),适合高频开关应用。
  4. 具备出色的热稳定性,允许的最大工作结温为175°C,能够在严苛的工作条件下长时间运行。
  5. TO-247封装提供良好的散热性能,方便安装和使用。
  6. 符合RoHS标准,环保且适合现代工业需求。

应用

IRFP460HPBF广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS),包括AC-DC和DC-DC转换器。
  2. 电机驱动电路,用于控制各种类型的电机,如步进电机和无刷直流电机。
  3. 逆变器系统,例如太阳能逆变器和不间断电源(UPS)。
  4. 脉宽调制(PWM)控制器,实现高效功率调节。
  5. 各种工业自动化设备中的功率管理模块。
  6. 消费类电子产品中的高性能功率转换解决方案。

替代型号

IRFP460, STP17NF50, FDP18N50

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IRFP460HPBF参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1 : ¥28.70000管件
  • 系列-
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)500 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)20A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)270 毫欧 @ 12A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)116 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±30V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)3208 pF @ 100 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)329W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 供应商器件封装TO-247AC
  • 封装/外壳TO-247-3