您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > IRFP3077PBF

IRFP3077PBF 发布时间 时间:2023/3/7 16:35:03 查看 阅读:538

    类别:分离式半导体产品

    家庭:MOSFET,GaNFET - 单

    系列:HEXFET?

  

目录

概述

    类别:分离式半导体产品

    家庭:MOSFET,GaNFET - 单

    系列:HEXFET?

    FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物

    FET 特点:逻辑电平门

    开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:3.3 毫欧 @ 75A, 10V

    漏极至源极电压(Vdss):75V

    电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:120A

    Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250μA

    闸电荷(Qg) @ Vgs:220nC @ 10V

    在 Vds 时的输入电容(Ciss) :9400pF @ 50V

    功率 - 最大:340W

    安装类型:通孔

    封装/外壳:TO-247-3 (直引线), TO-247AC

    包装:散装

    供应商设备封装:TO-247AC


资料

厂商
Infineon / IR

IRFP3077PBF推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

IRFP3077PBF资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载

IRFP3077PBF参数

  • 标准包装25
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)75V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C120A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C3.3 毫欧 @ 75A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs220nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds9400pF @ 50V
  • 功率 - 最大340W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-247-3
  • 供应商设备封装TO-247AC
  • 包装散装