器件类型：肖特基势垒整流二极管
　　配置：双共阴极
　　最大重复反向电压（VRRM）：45V
　　最大直流阻断电压（VR）：45V
　　最大平均整流电流（IF(AV)）：30A
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：150A
　　最大正向压降（VF）：0.57V @ 15A, 125°C
　　最大反向漏电流（IR）：2.0mA @ 45V, 125°C
　　工作结温范围（TJ）：-65°C 至 +150°C
　　存储温度范围（TSTG）：-65°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-220AB
　　安装方式：通孔安装（Through Hole）
　　引脚数：3

SBR3045CT-G的核心优势在于其低正向压降特性，这直接关系到整流过程中的导通损耗大小。在典型工作条件下，当通过15A电流且结温达到125°C时，其正向压降仅为0.57V左右，显著低于传统硅PN结二极管（通常为0.7V~1.2V）。这一特性使得该器件在大电流应用中能大幅减少功耗，提升电源系统的整体转换效率。例如，在一个输出电流为30A的DC-DC变换器中，若使用传统的硅二极管，仅导通损耗就可能高达数十瓦；而采用SBR3045CT-G则可将这部分损耗降低30%以上，从而减轻散热压力，并允许更紧凑的电源设计。
　　其次，该器件具备优异的开关速度，属于少数没有明显反向恢复时间（trr ≈ 0）的半导体整流元件之一。由于肖特基二极管是多数载流子导电器件，不存在少数载流子的存储效应，因此在高频开关环境下不会产生额外的能量损耗和电磁干扰（EMI）。这对于工作频率在几十kHz至数百kHz的开关电源尤为重要，可以避免因二极管反向恢复引起的尖峰电压和功率晶体管的额外应力，进而提高系统可靠性和效率。
　　此外，SBR3045CT-G采用双共阴极结构，使其非常适合构建中心抽头变压器的全波整流电路，广泛用于低压大电流输出的电源拓扑中。每个二极管单元均可独立承载高达30A的平均整流电流，在并联使用时总电流能力更强。同时，其TO-220AB封装具有良好的热传导性能，可通过外接散热片将热量迅速传递至外部环境，确保长时间高负载运行下的热稳定性。器件还具备较强的抗浪涌能力，可承受高达150A的单次非重复浪涌电流（半正弦波，8.3ms），有效应对开机瞬间或异常工况下的电流冲击。综合来看，SBR3045CT-G在效率、可靠性与实用性方面达到了良好平衡，是现代高密度电源设计中的理想选择。

SBR3045CT-G广泛应用于多种电力电子系统中，尤其是在需要高效、低压、大电流整流的场合。常见应用包括开关模式电源（SMPS），特别是用于通信设备、服务器和工业控制系统的AC-DC和DC-DC电源模块。在这些系统中，它常被用作输出级的同步整流替代方案或主整流元件，以降低导通损耗并提高能效。该器件也适用于太阳能光伏逆变器中的直流侧整流与防反接保护电路，利用其低正向压降特性来最大化能量利用率。此外，在电池充电管理系统（如电动车充电桩、UPS不间断电源）中，SBR3045CT-G可用于防止电池反向放电，并在充电过程中实现高效的能量传输。
　　在直流-直流转换器拓扑中，尤其是降压（Buck）和半桥/全桥同步整流结构中，SBR3045CT-G因其快速开关特性和低VF表现而备受青睐。它可以有效地配合MOSFET进行续流操作，减少死区时间内产生的电压尖峰和能量损耗。该器件同样适用于电机驱动器中的续流二极管功能，保护功率开关免受感性负载产生的反电动势损害。在焊接设备、电镀电源等工业电源装置中，SBR3045CT-G也被用于大电流整流环节，满足持续高负载运行的需求。
　　由于其具备良好的热稳定性和机械强度，SBR3045CT-G还可用于汽车电子辅助电源系统（尽管并非车规级器件）、铁路信号电源以及测试测量仪器中的电源单元。总体而言，任何需要在45V以下电压等级下实现高效、高可靠性整流的应用场景，都是SBR3045CT-G的理想适用领域。

SB3045CT-DIO
　　SBR3045CT-E3
　　MBR3045CT