型号：IRFP27N60
　　制造商：Infineon Technologies
　　晶体管类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：600V
　　栅源电压(Vgs)：±30V
　　连续漏极电流(Id)：27A @ 100°C
　　脉冲漏极电流(Id,pulse)：108A
　　导通电阻(Rds(on))：0.21Ω（最大值，@ Vgs=10V, Id=13.5A）
　　阈值电压(Vgs(th))：3.0V ~ 4.5V（典型值约3.5V）
　　输入电容(Ciss)：3080pF @ Vds=25V
　　输出电容(Coss)：190pF @ Vds=25V
　　反向恢复时间(trr)：58ns
　　最大功耗(Pd)：300W
　　工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-247

IRFP27N60的核心优势在于其采用的Superjunction（超结）结构技术，该技术通过交替排列的P型和N型柱状区域实现漂移区电荷平衡，显著降低了传统高压MOSFET的导通电阻与栅极电荷之间的折衷关系。这种设计使得器件在保持600V高击穿电压的同时，实现了极低的Rds(on)，从而大幅减少了导通损耗，特别适合用于高频开关电源系统中以提升整体效率。
　　该器件具备优异的开关性能，输入和输出电容较小，且栅极电荷（Qg）较低，有助于减少驱动损耗并加快开关速度。同时，其反向恢复电荷（Qrr）也得到优化，配合快速恢复体二极管，可有效降低在硬开关或谐振拓扑中的能量损耗和电磁干扰（EMI）。这对于PFC升压电路和LLC谐振转换器尤为重要。
　　IRFP27N60还具有较强的鲁棒性，能够承受一定的重复性雪崩能量，增强了系统在异常工况下的稳定性。其较高的dv/dt和di/dt抗扰能力，减少了误触发的风险。此外，TO-247封装提供了较大的焊接触点面积，有利于热量从芯片传导至散热器，改善热循环可靠性。该器件还内置了防闩锁设计，避免因寄生双极晶体管导通而导致的失效问题，确保长期运行的安全性。
　　在制造工艺方面，Infineon采用严格的品质控制流程，确保每批次产品具有一致的电气参数和高可靠性。器件经过100%的雪崩测试和高温栅极偏置（HTRB）测试，保障了其在工业级环境下的耐用性。综合来看，IRFP27N60是一款兼顾高性能、高可靠性和节能环保特性的先进功率MOSFET，适用于对能效和稳定性要求严苛的应用场景。

IRFP27N60主要应用于各类中高功率开关电源系统中，尤其是在需要高效率和高电压操作的场合表现突出。它广泛用于AC-DC电源适配器、服务器电源、通信电源模块以及工业电源系统中，作为主开关管或PFC电路中的升压开关使用，帮助实现高于90%的转换效率。
　　在功率因数校正（PFC）电路中，IRFP27N60常用于临界导通模式（CRM）或连续导通模式（CCM）升压拓扑，利用其低导通电阻和快速开关特性来减少能量损耗，提升系统功率因数，满足IEC 61000-3-2等电磁兼容法规要求。
　　此外，该器件也适用于DC-DC变换器，如半桥、全桥和LLC谐振转换器，在这些拓扑中承担高频开关任务，其低栅极电荷和优良的体二极管反向恢复特性有助于降低开关应力和温升。
　　在新能源领域，IRFP27N60可用于太阳能微逆变器、储能系统中的DC-AC逆变环节，以及电动汽车车载充电机（OBC）的辅助电源部分。其高耐压能力和良好的热稳定性使其能够在复杂电磁环境中稳定运行。
　　照明应用方面，该MOSFET可用于高强度放电灯（HID）镇流器和LED驱动电源，特别是在大功率户外照明系统中提供高效、可靠的开关控制。同时，它也被用于电机驱动、UPS不间断电源和感应加热设备中，作为核心功率开关元件发挥关键作用。

IPW60R210CFD
　　STP28NF60FD
　　FQP27N60L
　　SPW60R210C3