产品类型：共模滤波器（铁氧体磁珠阵列）
　　尺寸代码：2012（公制）/ 0805（英制）
　　通道数：2通道
　　阻抗值（典型）：300Ω @ 100MHz（共模阻抗）
　　直流电阻（DCR）：最大450mΩ（每通道）
　　额定电流：最大100mA
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　端接方式：镍阻挡层 + 锡电镀
　　封装形式：片式（表面贴装SMD）
　　磁珠材料：铁氧体基多层陶瓷
　　谐振频率：约数百MHz（具体依负载条件而定）
　　插入损耗（差模）：较低，确保信号完整性
　　共模抑制比：在30MHz至300MHz范围内显著提升

MMZ2012Y300BTD25的核心特性之一在于其高效的共模噪声抑制能力。该器件在100MHz频率下可提供高达300Ω的共模阻抗，能够有效吸收和衰减来自高速数据线路（如USB、HDMI、MIPI、LVDS等）中的高频共模干扰信号。这种高阻抗特性使其成为解决电磁辐射超标问题的理想选择，尤其适用于移动设备中靠近连接器或射频模块的位置。其内部结构采用双线并绕式铁氧体磁芯设计，结合多层陶瓷烧结工艺，实现了小型化与高性能的平衡。
　　另一个关键特性是其低差模插入损耗。尽管该器件对共模噪声具有强抑制作用，但对差分信号路径的影响极小，确保了原始信号的质量不受影响。这对于高速差分传输至关重要，例如在MIPI DSI或CSI接口中，任何额外的信号延迟或失真都可能导致图像显示异常或数据误码率上升。因此，MMZ2012Y300BTD25能够在不牺牲信号完整性的前提下实现EMI控制，提升了系统的整体稳定性。
　　该器件还具备优异的温度稳定性和耐久性。其使用的铁氧体材料具有平坦的阻抗-频率响应曲线，在宽温范围内性能波动小，确保在不同工作环境下都能维持一致的滤波效果。此外，低直流电阻（DCR ≤ 450mΩ）减少了通流时的功率损耗和温升，提高了能效并延长了使用寿命。SMD封装形式便于自动化贴片生产，支持回流焊工艺，适合大规模量产应用。
　　MMZ2012Y300BTD25还具有良好的ESD耐受能力和抗机械应力性能，适合用于手持设备等易受外部冲击的场合。其符合AEC-Q200等可靠性标准的部分版本也增强了在汽车电子中的适用潜力。综合来看，这款共模滤波器凭借其高频抑制能力、小型尺寸、低功耗和高可靠性，已成为现代高频电子系统中不可或缺的关键元件之一。

MMZ2012Y300BTD25广泛应用于各类需要高频噪声抑制的电子系统中，尤其是在高速数字接口和便携式设备领域表现突出。常见应用场景包括智能手机和平板电脑中的摄像头模块（Camera Module）与显示屏接口（Display Interface），这些模块通常采用MIPI协议进行数据传输，极易受到主板其他部分（如处理器、射频单元）产生的共模噪声干扰。通过在信号线路上集成MMZ2012Y300BTD25，可以显著降低辐射发射水平，避免图像闪烁、色彩失真或通信中断等问题。
　　在USB 2.0或轻量级高速串行链路中，该器件可用于抑制从设备端向主机端传播的共模噪声，防止其通过USB线缆充当天线向外辐射，进而帮助产品通过FCC Class B或CISPR 32等电磁兼容认证。此外，在无线通信模块（如Wi-Fi、蓝牙、NFC）的I/O线路保护中，该滤波器也能有效隔离数字基带噪声对射频前端的影响，提升接收灵敏度和通信质量。
　　工业控制设备、医疗电子仪器以及车载信息娱乐系统中同样存在对EMI控制的严格要求。MMZ2012Y300BTD25可用于传感器信号调理电路、编码器反馈线路或音频差分传输路径中，抑制外部电磁场耦合引入的干扰，保障测量精度和系统稳定性。其小型化设计特别适合空间受限的应用场景，如TWS耳机、智能手表等可穿戴设备。
　　在PCB布局方面，推荐将该器件靠近噪声源或接口连接器放置，配合适当的接地设计（如低阻抗地平面）以发挥最大滤波效能。同时应避免长走线引起的寄生电感效应，确保滤波器两端的布线对称，维持差分阻抗匹配。总体而言，该器件适用于所有需要在不影响高速信号质量的前提下实现EMI抑制的精密电子系统。

BLM21PG300SN1D
　　DLW21HN300XK2
　　ACM4520-300-T000
　　PLT3BS301T