型号：IRFP120N20
　　制造商：Infineon Technologies
　　晶体管类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：200V
　　栅源电压（VGS）：±30V
　　连续漏极电流（ID）：68A（Tc=25°C）
　　脉冲漏极电流（IDM）：272A
　　导通电阻（RDS(on) max）：0.12Ω @ VGS=10V, ID=34A
　　阈值电压（VGS(th)）：4.0V ~ 6.0V
　　输入电容（Ciss）：4900pF @ VDS=25V
　　输出电容（Coss）：1130pF @ VDS=25V
　　反向恢复时间（trr）：66ns
　　最大功耗（PD）：320W（Tc=25°C）
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +175°C
　　封装类型：TO-247

IRFP120N20具备卓越的电气与热性能，适用于高功率密度设计。其核心优势在于采用了英飞凌先进的沟槽栅极技术和场截止结构，这种设计不仅显著降低了单位面积的导通电阻，还优化了电荷分布，从而减小了开关过程中的寄生电感和电容效应，提高了整体效率。该器件在200V额定电压下仍能保持较低的RDS(on)，典型值仅为0.12欧姆，这使得在大电流应用中产生的I2R损耗大幅减少，有助于提升系统能效并降低对散热系统的要求。
　　此外，IRFP120N20具有优异的开关速度，输入电容和输出电容较小，配合快速的栅极驱动响应，使其非常适合高频PWM控制场景，如开关电源和DC-DC变换器。其反向恢复时间较短，减少了体二极管在关断时的反向恢复电荷，从而降低了开关损耗和电磁干扰（EMI），提升了系统的动态响应能力。
　　该MOSFET还具备良好的雪崩耐量（Avalanche Energy Rating），能够承受一定程度的电感负载突变或电压冲击，增强了在异常工况下的鲁棒性。其高达175°C的最大工作结温允许器件在高温环境中持续运行，配合TO-247封装提供的高效散热路径，可在恶劣工业环境下保持稳定性能。内置的体二极管也经过优化，支持续流功能，适用于桥式电路和电机驱动等需要反向电流通路的应用。
　　总之，IRFP120N20凭借其高电压耐受、低导通损耗、快速开关能力和高可靠性，成为现代电力电子系统中不可或缺的关键元件。

IRFP120N20广泛应用于多种高功率和高效率要求的电力电子设备中。在开关电源（SMPS）领域，常用于PFC（功率因数校正）升压级和主功率开关级，尤其适用于服务器电源、通信电源及工业电源模块，其高电压等级和低导通电阻有助于实现高能效转换。
　　在DC-DC转换器中，特别是在隔离型和非隔离型拓扑如半桥、全桥和同步降压电路中，IRFP120N20因其快速开关特性和低损耗表现而被广泛采用，适用于太阳能逆变器、UPS不间断电源和电动汽车车载充电机等系统。
　　在电机驱动方面，该器件可用于中小功率交流感应电机或永磁同步电机的逆变驱动单元，尤其在工业自动化、电动工具和家用电器中发挥重要作用。其高电流承载能力和热稳定性保障了长时间运行的可靠性。
　　此外，IRFP120N20也适用于焊接设备、激光电源、高频感应加热装置等需要高电压、大电流切换能力的特种电源系统。由于其具备较强的抗雪崩能力和过载容忍度，即使在负载突变或短时过压情况下也能维持系统安全，因此在保护机制尚未完全响应的瞬态过程中提供额外的安全裕度。
　　总体而言，IRFP120N20凭借其综合性能优势，已成为工业、能源和交通等多个领域中高性能功率开关的首选之一。

SPW20N20C3
　　IXFH68N20P
　　FQP20N20C