时间：2025/5/22 21:36:09
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IGW60T120是一款N沟道增强型功率MOSFET，主要应用于高频开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及各类功率转换电路。该器件采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能等优点，能够满足高效能功率应用的需求。
该器件适用于要求高效能、高可靠性的场景，同时其封装形式使其易于集成到各种设计中。
最大漏源电压：120V
连续漏极电流：60A
导通电阻（典型值）：3.5mΩ
栅极电荷：75nC
输入电容：3840pF
工作结温范围：-55℃ to +175℃
1. 低导通电阻：典型值为3.5mΩ，有助于降低传导损耗并提高系统效率。
2. 高额定电流：支持高达60A的连续漏极电流，适合大功率应用场景。
3. 快速开关能力：低栅极电荷与优化的输出电容使得开关损耗更低，并允许更高的开关频率。
4. 良好的热稳定性：在高温环境下仍保持稳定的电气性能，可承受最高达175℃的工作温度。
5. 可靠性强：经过严格的质量控制流程生产，确保了器件在恶劣条件下的可靠性。
6. 封装类型：采用D2PAK（TO-263）封装，提供优异的散热性能。
1. 开关模式电源（SMPS）
2. DC-DC转换器
3. 电机驱动
4. 电池管理系统
5. 太阳能逆变器
6. 工业自动化设备中的功率控制模块
7. 各类需要高效功率管理的应用领域
IRG4PC30KD, FDP5570N, STP60NF12
