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IRFL9110TRPBF 发布时间 时间:2025/6/21 0:44:36 查看 阅读:4

IRFL9110TRPBF是英飞凌(Infineon)生产的一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件采用Trench技术制造,具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能,适用于多种功率转换应用。IRFL9110TRPBF封装为TO-263(D2PAK),适合表面贴装工艺。
  该MOSFET的主要应用领域包括DC-DC转换器、电机驱动、负载切换、电源管理等。其优化的参数设计使其在高频开关应用中表现出色。

参数

最大漏源电压:40V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:38A
  导通电阻:2.5mΩ(典型值,在VGS=10V时)
  栅极电荷:21nC(典型值)
  开关时间:ton=17ns,toff=12ns(典型值)
  结温范围:-55℃至175℃
  封装形式:TO-263

特性

IRFL9110TRPBF具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可有效降低传导损耗,提高系统效率。
  2. 高额定电流能力(38A),能够满足大功率应用需求。
  3. 快速开关性能,适合高频工作环境。
  4. 内置反向二极管,有助于续流保护。
  5. 良好的热稳定性,支持长时间稳定运行。
  6. 表面贴装封装(TO-263),便于自动化生产和散热管理。
  这些特点使得IRFL9110TRPBF成为众多功率转换和控制应用的理想选择。

应用

IRFL9110TRPBF广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的功率级控制。
  2. DC-DC转换器中的同步整流或主开关。
  3. 电动工具、家用电器和其他消费电子产品的电机驱动。
  4. 工业设备中的负载切换和电源管理。
  5. 汽车电子系统中的功率控制模块。
  由于其优异的性能和可靠性,IRFL9110TRPBF特别适合需要高效率和高功率密度的应用场景。

替代型号

IRF9110, IRFL9110TRPbF

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IRFL9110TRPBF产品

IRFL9110TRPBF参数

  • 数据列表IRFL9110
  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C1.1A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C1.2 欧姆 @ 660mA,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs8.7nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds200pF @ 25V
  • 功率 - 最大2W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-261-4,TO-261AA
  • 供应商设备封装SOT-223
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称IRFL9110PBFTR