IRFL9110TRPBF是英飞凌(Infineon)生产的一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件采用Trench技术制造,具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能,适用于多种功率转换应用。IRFL9110TRPBF封装为TO-263(D2PAK),适合表面贴装工艺。
该MOSFET的主要应用领域包括DC-DC转换器、电机驱动、负载切换、电源管理等。其优化的参数设计使其在高频开关应用中表现出色。
最大漏源电压:40V
最大栅源电压:±20V
连续漏极电流:38A
导通电阻:2.5mΩ(典型值,在VGS=10V时)
栅极电荷:21nC(典型值)
开关时间:ton=17ns,toff=12ns(典型值)
结温范围:-55℃至175℃
封装形式:TO-263
IRFL9110TRPBF具有以下显著特性:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可有效降低传导损耗,提高系统效率。
2. 高额定电流能力(38A),能够满足大功率应用需求。
3. 快速开关性能,适合高频工作环境。
4. 内置反向二极管,有助于续流保护。
5. 良好的热稳定性,支持长时间稳定运行。
6. 表面贴装封装(TO-263),便于自动化生产和散热管理。
这些特点使得IRFL9110TRPBF成为众多功率转换和控制应用的理想选择。
IRFL9110TRPBF广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的功率级控制。
2. DC-DC转换器中的同步整流或主开关。
3. 电动工具、家用电器和其他消费电子产品的电机驱动。
4. 工业设备中的负载切换和电源管理。
5. 汽车电子系统中的功率控制模块。
由于其优异的性能和可靠性,IRFL9110TRPBF特别适合需要高效率和高功率密度的应用场景。
IRF9110, IRFL9110TRPbF