时间：2025/5/20 11:23:30
阅读：174
BP2861DJ是一款高性能的N沟道增强型MOSFET功率晶体管，广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器以及其他需要高效功率切换的应用场景。该器件采用TO-220封装形式，具有较低的导通电阻和较高的电流承载能力，从而能够有效降低功率损耗并提升系统效率。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
持续漏极电流：25A
导通电阻：4.5mΩ（典型值）
栅极电荷：38nC
开关时间：开启延迟时间10ns，下降时间25ns
结温范围：-55℃至+175℃
BP2861DJ具备低导通电阻的特点，有助于减少功率损耗，同时其快速的开关速度使得它在高频应用中表现出色。此外，该器件还具有良好的热稳定性和抗浪涌能力，确保在恶劣环境下也能可靠运行。
BP2861DJ采用TO-220封装，这种封装形式散热性能优异，便于安装和维护。对于高功率密度设计，这款MOSFET可以显著优化效率和空间利用率。
其大电流处理能力和低导通电阻使其非常适合于负载切换、电池保护、逆变器以及马达驱动等应用领域。
开关电源中的功率开关
DC-DC转换器
电机驱动电路
负载切换与保护
逆变器电路
电池管理系统中的功率路径控制
IRFZ44N
STP20NF50
FDP5501
