制造商：MACOM
　　产品类别：射频放大器 - 低噪声放大器（LNA）
　　系列：MASW-SM
　　频率范围：DC ~ 6 GHz
　　增益：约18 dB（典型值，4 GHz时）
　　噪声系数：约0.7 dB（典型值，4 GHz时）
　　P1dB输出功率：约+13 dBm（典型值）
　　OIP3（三阶交调截点）：约+29 dBm（典型值）
　　工作电压：+3 V 至 +5 V（推荐+5 V）
　　静态电流：约45 mA（典型值）
　　输入/输出阻抗：50 Ω
　　封装类型：SOT-343 或类似小型表面贴装封装
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C

MASWSM0002具备卓越的宽带低噪声放大性能，能够在从直流到6 GHz的宽频带内保持稳定的增益和极低的噪声系数，这使其成为多频段和宽带接收机前端的理想选择。其基于GaAs MMIC技术的设计确保了高频响应的优异表现，同时实现了高电子迁移率晶体管（HEMT）结构带来的低功耗与高线性度平衡。该器件在4 GHz频率下典型噪声系数仅为0.7 dB，显著提高了接收系统的灵敏度，有助于提升信噪比，尤其适用于弱信号环境下的远距离通信或雷达探测场景。
　　该芯片具有出色的增益平坦度，在整个工作频段内增益波动小，通常小于±1 dB，从而避免了额外的均衡电路设计需求。OIP3高达+29 dBm表明其具备较强的抗干扰能力，能够有效抑制强邻道信号引起的非线性失真，保障复杂电磁环境下系统的稳定性。内置输入输出匹配网络不仅降低了对外部匹配元件的依赖，还减少了设计复杂性和PCB面积占用，加快了产品上市时间。
　　MASWSM0002采用小型表面贴装封装，如SOT-343，非常适合高密度集成应用。其工作电压范围宽（3V至5V），兼容多种电源架构，且静态电流较低（约45 mA），在保证高性能的同时兼顾能效。器件符合RoHS环保标准，并通过严格的工业级温度验证（-40°C至+85°C），可在恶劣环境中长期可靠运行。此外，该LNA具有良好的ESD保护能力，增强了生产过程中的耐用性。总体而言，MASWSM0002是一款面向高端射频系统的高性能、易用性强的低噪声放大器解决方案。

MASWSM0002广泛应用于需要高性能宽带低噪声放大的各类射频系统中。在无线通信领域，它被用于蜂窝基站、小基站（Small Cell）、毫米波回传链路以及5G NR前端模块中，作为接收通道的第一级放大器，以最大限度地提升系统灵敏度。其宽带特性也使其适用于软件定义无线电（SDR）平台，在不同频段间无需更换硬件即可实现灵活调谐。
　　在国防与航空航天领域，该器件可用于电子战系统、雷达前端接收机、卫星通信终端等对可靠性和性能要求极高的场合。其高线性度和低噪声特性有助于提高目标检测精度和抗干扰能力。此外，在测试与测量仪器如频谱分析仪、网络分析仪和信号发生器中，MASWSM0002常被用作前端放大单元，以增强微弱信号的可测性。
　　其他应用还包括宽带中继器、点对点和点对多点微波通信系统、UAV通信链路、物联网网关以及高性能Wi-Fi接入点（尤其是5 GHz及以上频段）。由于其封装小巧且易于集成，也适合用于便携式或移动式设备中的射频前端设计。无论是在民用还是军用高端射频系统中，MASWSM0002都展现了其作为核心低噪声放大器的关键作用。

MASW-007820
　　MASW-008820
　　LMXA01320