类型：N沟道
　　极性：增强型
　　漏源电压（Vds）：60V
　　连续漏极电流（Id）@25°C：9.3A
　　脉冲漏极电流（Idm）：37A
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）@Vgs=10V：8.5mΩ
　　导通电阻（Rds(on)）@Vgs=4.5V：12.5mΩ
　　阈值电压（Vgs(th)）@Id=250μA：2.0V ~ 3.0V
　　输入电容（Ciss）@Vds=25V：970pF
　　输出电容（Coss）@Vds=25V：370pF
　　反向恢复时间（trr）：26ns
　　功耗（Pd）：50W
　　工作结温范围：-55°C ~ +175°C
　　封装/外壳：TO-252 (D-Pak)

IRFL014ZTRPBF具备优异的导通性能和开关效率，这得益于其低导通电阻（Rds(on)）的设计，在Vgs=10V时仅为8.5mΩ，而在较低驱动电压4.5V下也仅达到12.5mΩ，这意味着即使在轻载或低压驱动条件下仍能保持较低的导通损耗，提升整体系统能效。这种低Rds(on)特性对于电池供电设备尤为重要，因为它能够减少发热并延长续航时间。同时，该器件采用先进的沟槽栅极技术，优化了载流子迁移路径，从而进一步降低电阻并提高电流处理能力。
　　该MOSFET还具有较低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），典型值分别为23nC和970pF，这显著减少了驱动电路所需的能量，使得它非常适合用于高频开关应用如同步整流、DC-DC降压变换器等。低Qg意味着更快的开关速度和更小的开关损耗，有助于提高电源转换效率并减小外围元件尺寸。此外，其反向恢复时间（trr）仅为26ns，表明体二极管具有较快的恢复特性，可有效降低在桥式拓扑中因反向恢复引起的尖峰电压和电磁干扰问题。
　　IRFL014ZTRPBF采用TO-252（D-Pak）封装，具有优良的散热性能，允许器件在较高功率水平下稳定运行。该封装支持表面贴装安装方式，适应现代化SMT生产线流程，提高了组装效率和产品一致性。器件的工作结温范围宽达-55°C至+175°C，确保其在极端环境条件下依然可靠工作，适用于工业级甚至部分汽车电子应用场景。整体而言，IRFL014ZTRPBF是一款集高性能、高可靠性与环保合规于一体的功率MOSFET器件，适用于多种中低电压功率开关任务。

IRFL014ZTRPBF广泛应用于各类电源管理系统中，包括开关模式电源（SMPS）、DC-DC转换器、负载开关、电机驱动电路以及电池供电设备中的功率控制模块。其低导通电阻和高电流承载能力使其特别适合用于笔记本电脑、平板电脑和其他便携式电子产品的电源管理单元中，用作主开关或同步整流开关。在这些应用中，它能有效降低传导损耗，提高电源效率，延长电池使用寿命。
　　此外，该器件也常用于LED照明驱动电源、USB充电端口的过流保护与热插拔控制、服务器电源模块以及工业自动化控制系统中的继电器替代方案。由于其具备良好的热稳定性和宽泛的工作温度范围，也可部署于环境条件较为严苛的工业现场设备中。在电机控制领域，IRFL014ZTRPBF可用于小型直流电机或步进电机的H桥驱动电路中，实现正反转控制与PWM调速功能。
　　在电源冗余设计或多路电源切换系统中，该MOSFET可用作理想二极管替代方案，防止反向电流流动的同时降低压降与功耗。其快速开关特性也使其适用于高频逆变器、音频功率放大器的输出级以及其他对动态响应要求较高的模拟与数字混合信号系统中。总之，IRFL014ZTRPBF凭借其综合性能优势，已成为众多中低端功率电子设计中的首选N沟道MOSFET之一。

IRLR014ZPBF,IRLZ44NPBF,IRF540NPBF,STP9NK60ZFP