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IRFK3FC50 发布时间 时间:2025/12/26 21:24:21 查看 阅读:11

IRFK3FC50是一款由Infineon Technologies(英飞凌)生产的功率MOSFET晶体管,属于高性能的沟道场效应晶体管(MOSFET)系列。该器件专为高效率电源转换和功率管理应用而设计,广泛应用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、逆变器以及电机驱动系统中。IRFK3FC50采用先进的沟道技术制造,具备低导通电阻(RDS(on))、高开关速度和优异的热稳定性,使其在高频工作条件下依然能够保持较低的功耗和较高的系统效率。该MOSFET为N沟道增强型结构,具有良好的栅极电荷特性,有助于减少驱动损耗并提升整体能效。其封装形式通常为TO-247,这种大功率封装不仅具备优良的散热性能,还支持高电流承载能力,适用于需要紧凑设计但又要求高功率密度的应用场景。此外,IRFK3FC50内置了快速恢复体二极管,能够在感性负载切换时提供可靠的反向电流路径,进一步增强了电路的鲁棒性。该器件符合RoHS环保标准,并通过了多项工业级可靠性测试,确保在严苛环境下长期稳定运行。由于其出色的电气特性和坚固的封装设计,IRFK3FC50常被用于工业电源、太阳能逆变器、UPS不间断电源以及电动汽车充电系统等高端电力电子设备中。
  该器件的工作电压等级为500V,适合中高压应用场合,同时具备较强的雪崩能量承受能力,能够在瞬态过压或负载突变情况下维持安全运行。其栅极阈值电压适中,便于与常见的驱动IC或控制器配合使用,降低了系统设计复杂度。综合来看,IRFK3FC50是一款面向中高功率应用的高效能MOSFET,凭借其低损耗、高可靠性和成熟的制造工艺,在工业与能源领域具有广泛的应用前景。

参数

型号:IRFK3FC50
  类型:N沟道
  最大漏源电压(VDS):500 V
  最大连续漏极电流(ID):19 A
  最大脉冲漏极电流(IDM):76 A
  最大栅源电压(VGS):±30 V
  导通电阻(RDS(on)):0.2 Ω @ VGS = 10 V
  栅极电荷(Qg):170 nC @ VDS = 400 V
  输入电容(Ciss):4200 pF @ VDS = 25 V
  开启延迟时间(td(on)):40 ns
  关断延迟时间(td(off)):70 ns
  反向恢复时间(trr):85 ns
  工作结温范围:-55 °C 至 +150 °C
  封装类型:TO-247

特性

IRFK3FC50具备卓越的电气与热性能,是专为高功率密度和高效率电源系统优化设计的N沟道功率MOSFET。其最显著的特性之一是低导通电阻RDS(on),典型值仅为0.2Ω(在VGS=10V条件下),这一参数有效降低了导通状态下的功率损耗,提升了系统整体效率,尤其适用于持续大电流工作的应用场景。该器件的最大漏源电压可达500V,使其能够胜任中高压电源转换任务,如AC-DC整流后级、PFC电路以及光伏逆变器中的主开关元件。得益于先进的沟槽栅极制造工艺,IRFK3FC50在实现低RDS(on)的同时,仍保持了良好的开关特性,包括较低的栅极电荷(Qg=170nC)和输入电容(Ciss=4200pF),这使得它在高频开关操作中所需的驱动能量更少,从而减少了驱动电路的负担,并有助于提高开关频率以缩小磁性元件体积。
  该MOSFET具备优异的开关动态性能,开启延迟时间约为40ns,关断延迟时间为70ns,配合85ns的反向恢复时间(trr),可实现快速且可控的开关动作,降低开关过程中的交越损耗。其内置的体二极管具有快速恢复能力,适用于存在感性负载或需要续流路径的拓扑结构,例如半桥、全桥或同步整流电路。此外,器件支持高达19A的连续漏极电流和76A的脉冲电流能力,展现出强大的电流处理能力,适合用于高功率输出的DC-DC变换器或电机控制模块。TO-247封装提供了优良的热传导路径,可通过散热片将热量迅速导出,确保器件在长时间满负荷运行下的温度处于安全范围内。工作结温范围从-55°C到+150°C,表明其可在极端环境温度下稳定工作,适用于工业级甚至部分汽车级应用场景。整体而言,IRFK3FC50在导通损耗、开关速度、热稳定性和可靠性之间实现了良好平衡,是现代高效电力电子系统中的关键组件之一。

应用

IRFK3FC50广泛应用于多种高效率、高功率密度的电力电子系统中。其主要应用领域包括开关模式电源(SMPS),尤其是在大功率服务器电源、通信电源和工业电源中作为主开关管使用。在功率因数校正(PFC)电路中,该器件因其高耐压能力和低导通损耗,常被用于升压型PFC拓扑的开关元件,帮助系统满足能效标准和电磁兼容性要求。此外,它也被大量应用于太阳能光伏逆变器中,作为直流侧的高频开关单元,将太阳能板产生的直流电高效转换为交流电输出。在不间断电源(UPS)系统中,IRFK3FC50可用于逆变器级的功率转换,确保市电中断时负载供电的连续性和稳定性。其高电流承载能力和快速开关特性也使其适用于电机驱动系统,如工业风扇、泵类设备和小型电动执行机构的控制电路。在电池充电系统,特别是电动汽车车载充电机(OBC)或充电桩电源模块中,该MOSFET可用于实现高效的AC-DC或DC-DC转换阶段。此外,由于其具备良好的雪崩耐量和抗冲击能力,IRFK3FC50还可用于存在电压瞬变或负载突变的恶劣工况环境,例如工业自动化控制系统或重型机械电源模块。其TO-247封装便于安装散热装置,因此在需要紧凑布局但又要求良好散热性能的设计中尤为适用。总之,IRFK3FC50凭借其高电压、大电流、低损耗和高可靠性,成为工业电源、新能源和电机控制等领域中不可或缺的核心功率器件。

替代型号

IPW60R020CFD,STP5NK50ZFP,APT50M50B

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