IRFIB5N50L 时间：2025/12/26 19:16:12 阅读：12

IRFIB5N50L是一款由Infineon Technologies（英飞凌）生产的高电压、高速功率MOSFET，采用先进的Superjunction技术设计，专为高性能开关电源应用而优化。该器件属于CoolMOS?系列，具有出色的能效和热性能，适用于需要高效率和紧凑设计的现代电源系统。IRFIB5N50L的额定电压为500V，连续漏极电流在典型条件下可达4.7A，能够承受较高的脉冲电流，适合在高频率下工作。其封装形式为TO-220FP，具备良好的散热能力，便于安装在标准散热器上。该MOSFET广泛应用于AC-DC电源转换器、离线式开关电源（SMPS）、LED照明驱动电源、光伏逆变器以及工业电源系统等场合。由于采用了CoolMOS技术，相较于传统的平面型或沟槽型MOSFET，IRFIB5N50L在导通电阻（Rds(on)）和栅极电荷（Qg）之间实现了更优的平衡，从而显著降低了导通损耗和开关损耗，提升了整体系统效率。此外，该器件还具备良好的抗雪崩能力和高温稳定性，能够在恶劣的工作环境下保持可靠运行。其内部结构经过优化，减少了寄生参数，提高了高频响应能力，适合用于高频软开关拓扑如LLC谐振转换器和有源钳位反激式变换器中。IRFIB5N50L符合RoHS环保要求，并通过了相关可靠性认证，确保在工业级温度范围内长期稳定工作。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：500V
　　最大漏源击穿电压（BVDSS）：500V
　　连续漏极电流（Id @ 25°C）：4.7A
　　脉冲漏极电流（Idm）：18.8A
　　导通电阻（Rds(on) max @ Vgs=10V）：1.35Ω
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：3.0V ~ 4.5V
　　输入电容（Ciss）：540pF @ Vds=25V
　　输出电容（Coss）：115pF @ Vds=25V
　　反向恢复时间（trr）：快恢复型体二极管
　　栅极电荷（Qg）：42nC @ Vgs=10V
　　功耗（Ptot）：67W
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：TO-220FP

特性

IRFIB5N50L的核心优势在于其基于英飞凌专利的CoolMOS? Superjunction技术，该技术通过交替排列P型和N型柱状结构，打破了传统MOSFET在击穿电压与导通电阻之间的线性关系，使得在相同耐压等级下，导通电阻大幅降低。这种结构显著提升了器件的品质因数（FOM = Rds(on) × Qg），从而在高频率开关应用中表现出更低的综合损耗。该器件的Rds(on)最大值为1.35Ω，在500V耐压等级中属于较高水平，但由于其优化的电荷特性，总开关损耗仍保持在较低水平，特别适合用于临界导通模式（CRM）或连续导通模式（CCM）的PFC电路以及反激式电源设计。
　　此外，IRFIB5N50L具备优良的动态性能，其输入电容和反向传输电容较小，有助于减少驱动电路的功耗并提升系统的EMI表现。集成的体二极管具有较快的反向恢复特性，减少了在硬开关拓扑中的反向恢复损耗和电压尖峰，提升了系统可靠性。该MOSFET还具备良好的热稳定性，在高温环境下Rds(on)上升较慢，避免了热失控风险。TO-220FP封装提供了优良的散热路径，允许在自然对流或强制风冷条件下高效散热，适用于空间受限但功率密度要求较高的应用场景。
　　从可靠性角度看，IRFIB5N50L经过严格的生产测试和质量控制流程，具备高抗雪崩能量能力（EAS），能够在瞬态过压或负载突变情况下安全运行。其栅极氧化层设计稳健，可承受高达±20V的栅源电压，增强了抗干扰能力。器件符合工业级标准，支持在-55°C至+150°C的结温范围内长期工作，适用于各种严苛环境下的电源系统。同时，该器件无铅且符合RoHS指令，支持绿色环保制造工艺。

应用

IRFIB5N50L广泛应用于各类中等功率的离线式开关电源系统中，尤其是在需要高效率和高可靠性的工业和消费类电源设备中表现出色。它常被用作主开关管或PFC升压开关，适用于200W至500W功率范围的AC-DC转换器，例如台式计算机电源、服务器电源模块、工业控制电源以及电信整流器等。在LED照明领域，该器件可用于大功率LED驱动电源，特别是在隔离式反激或半桥LLC拓扑中，提供稳定的直流输出。此外，IRFIB5N50L也适用于光伏微型逆变器中的DC-DC升压级，利用其低损耗特性提高太阳能转换效率。
　　在家电产品中，如空调、洗衣机和冰箱的变频电源模块中，该MOSFET可用于辅助电源或初级侧开关，确保系统在宽输入电压范围内高效运行。其优异的开关特性和热性能也使其适用于电池充电器、医疗电源和UPS不间断电源系统。由于具备良好的EMI性能和稳定的动态响应，IRFIB5N50L还能满足电磁兼容性要求较高的应用场景。在设计中，工程师可通过搭配合适的驱动电路和吸收网络，进一步发挥其高频开关潜力，实现小型化和高功率密度的设计目标。