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HU5420V820MRW 发布时间 时间:2025/9/6 12:44:02 查看 阅读:3

HU5420V820MRW 是一款由 Hynix(现代半导体)生产的 DRAM(动态随机存取存储器)芯片。该芯片属于高速、低功耗的 SDRAM(同步动态随机存取存储器)系列,广泛用于需要高性能内存的电子设备中,例如嵌入式系统、工业控制设备、网络设备以及消费类电子产品。

参数

容量:8MB
  组织方式:1M x8
  电压:3.3V
  封装类型:TSOP(Thin Small Outline Package)
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  数据速率:10ns、8.3ns、7.5ns 可选
  访问时间:5.4ns、6ns、7ns 可选
  接口类型:CMOS
  刷新周期:64ms

特性

HU5420V820MRW 芯片具备出色的性能和稳定性,采用了现代半导体先进的 CMOS 技术制造,具有较低的功耗和较高的抗干扰能力。其同步接口设计使得内存访问更加高效,适用于需要高速数据存取的应用场景。此外,该芯片的 TSOP 封装设计有助于节省空间,适用于紧凑型电路板设计。其工作温度范围宽,能够在恶劣的工业环境下稳定运行。
  该芯片的容量为8MB,以1M x8的组织方式排列,使其在存储数据时具备较高的灵活性和效率。其电压为3.3V,符合现代低功耗设计的要求,同时兼容多种电源管理系统。此外,该芯片的访问时间可根据应用需求选择不同的速率(5.4ns、6ns、7ns),以满足不同性能等级的设计需求。

应用

HU5420V820MRW 通常用于需要中等容量高速内存的设备,例如工业计算机、网络路由器、交换机、视频监控设备、打印机、扫描仪、以及一些嵌入式控制系统。由于其稳定性和低功耗特性,它也适用于需要长时间运行的工业和通信设备,如基站、工控机和自动化设备。此外,该芯片还可以用于消费类电子产品,如数码相机、智能家电和多媒体播放器,以提供快速的数据处理和存储能力。

替代型号

HY5420V820CJG, HY5420V820CJG-7, HY54S20V820DJG

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