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IRFI3205PBF 发布时间 时间:2025/7/4 0:11:56 查看 阅读:18

IRFI3205PBF 是一款高性能的 N 沟道增强型功率 MOSFET,由 Vishay International Rectifier 生产。该器件采用 TO-247 封装形式,适用于高频开关应用和大电流场景。
  这款 MOSFET 具有低导通电阻 (Rds(on)) 和高开关速度的特点,适合于各种电力电子应用,如开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动等。其出色的电气性能使其成为高效能设计的理想选择。

参数

最大漏源电压:150V
  最大连续漏极电流:69A
  导通电阻 (Rds(on)):3.8mΩ
  栅极电荷:69nC
  总电容 (Ciss):2090pF
  功耗:54W
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃

特性

IRFI3205PBF 的主要特点是其低导通电阻,这显著减少了传导损耗并提高了整体效率。
  此外,该器件具备较高的开关速度,能够有效降低开关损耗。它还具有良好的热稳定性和可靠性,能够在极端温度条件下运行。
  此 MOSFET 还支持快速瞬态响应,并且具有较低的输入和输出电容,从而进一步优化了开关性能。
  其封装设计也增强了散热能力,使得在高功率密度应用中表现更为出色。

应用

IRFI3205PBF 广泛应用于需要高效率和高功率处理能力的领域。
  典型应用场景包括但不限于:开关模式电源 (SMPS),不间断电源 (UPS),逆变器,电机控制与驱动,以及 DC-DC 转换器等。
  由于其优良的电气特性和耐高温性能,该器件特别适合工业设备、汽车电子及通信电源等领域。

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IRFI3205PBF参数

  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)55V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C64A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C8 毫欧 @ 34A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs170nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds4000pF @ 25V
  • 功率 - 最大63W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3 整包
  • 供应商设备封装TO-220AB 整包
  • 包装管件
  • 其它名称*IRFI3205PBF