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IRFHS9301TRPBF 发布时间 时间:2025/7/8 15:30:20 查看 阅读:27

IRFHS9301TRPBF 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道功率 MOSFET,采用 TSSOP-7 封装。该器件专为高频应用设计,具有低导通电阻和快速开关特性,适用于同步整流、DC-DC 转换器、负载切换以及电机控制等场景。
  该芯片属于 High Speed MOSFET 系列,能够提供卓越的性能和效率,尤其是在要求低损耗和高频率操作的应用中。

参数

型号:IRFHS9301TRPBF
  封装:TSSOP-7
  VDS(漏源电压):20V
  RDS(on)(导通电阻,典型值):4.5mΩ
  IDS(连续漏极电流):28A
  栅极电荷(Qg):11nC
  总电容(Ciss):360pF
  功耗:40W
  工作温度范围:-55℃ 至 +150℃

特性

IRFHS9301TRPBF 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻(RDS(on)),能够在高电流条件下保持低功耗。
  2. 高速开关性能,支持高频应用,减少开关损耗。
  3. 优化的栅极电荷(Qg),提高了开关效率。
  4. 较小的封装尺寸,便于 PCB 布局和系统小型化。
  5. 高可靠性设计,适合在严苛环境下使用。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且兼容现代制造工艺。

应用

该 MOSFET 主要应用于以下领域:
  1. 同步整流电路中的主开关或辅助开关。
  2. DC-DC 转换器,尤其是降压型转换器。
  3. 电池管理系统中的负载开关。
  4. 电机驱动和控制,例如无刷直流电机(BLDC)。
  5. 工业自动化设备中的电源管理。
  6. 通信设备中的高效电源转换模块。

替代型号

IRFHS9302TRPBF, IRFHS9303TRPBF, IRFHS9304TRPBF

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IRFHS9301TRPBF参数

  • 标准包装4,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C6A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C37 毫欧 @ 7.8A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.4V @ 25µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs13nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds580pF @ 25V
  • 功率 - 最大2.1W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳6-VQFN
  • 供应商设备封装6-PQFN(2x2)
  • 包装带卷 (TR)