时间：2025/6/17 6:51:09
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IRFHS8342TRPBF 是一款由英飞凌（Infineon）推出的高性能 N 沟道功率 MOSFET，采用 OptiMOS? 技术。该器件专为高效能和高频率开关应用设计，适用于工业、消费类电子以及通信领域。其超低导通电阻和优化的开关特性使其成为硬开关和同步整流应用的理想选择。
该芯片采用 TO-263-3 （DPAK）封装形式，能够提供出色的散热性能和电气连接可靠性。
最大漏源电压：55V
连续漏极电流：16A
导通电阻（Rds(on)）：1.4mΩ（典型值，@ Vgs=10V）
栅极电荷：26nC（典型值）
反向恢复时间：9ns（典型值）
工作结温范围：-55℃ 至 150℃
封装形式：TO-263-3 (DPAK)
IRFHS8342TRPBF 的主要特性包括以下几点：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），能够在高频运行中显著降低传导损耗。
2. 高效率的开关性能，适合于同步整流、DC-DC 转换器以及其他开关电源应用。
3. 采用了先进的 OptiMOS? 技术，提升了整体效率和热性能。
4. 快速的反向恢复时间和低栅极电荷，有助于减少开关损耗。
5. 封装具备良好的热特性和机械稳定性，适用于表面贴装技术（SMT）。
这款 MOSFET 广泛应用于多种领域，例如：
1. 各类 DC-DC 转换器中的主开关或同步整流元件。
2. 开关模式电源（SMPS）的功率级开关。
3. 电机驱动电路中的功率输出级。
4. 工业自动化设备中的负载切换和保护功能。
5. 电池管理系统中的充放电控制和保护模块。
IRFHG30N06L, IRF7779TRPBF
