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BUK9Y12-100E 发布时间 时间:2025/5/13 16:34:49 查看 阅读:20

BUK9Y12-100E是一款由安森美(ON Semiconductor)生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能等特点,适用于各种高效功率转换应用。其耐压能力高达100V,非常适合用于DC-DC转换器、电机驱动、负载开关等场景。

参数

最大漏源电压:100V
  连续漏极电流:34A
  导通电阻(典型值):1.8mΩ
  栅极电荷(典型值):67nC
  输入电容(典型值):1540pF
  总功耗:26W
  工作温度范围:-55℃至+175℃

特性

BUK9Y12-100E具有以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),能够显著降低传导损耗,提高效率。
  2. 高额定电流能力,适合大功率应用。
  3. 快速开关特性,可减少开关损耗。
  4. 增强的热稳定性,确保在高温环境下可靠运行。
  5. 提供TO-247封装形式,便于散热设计。
  6. 符合RoHS标准,环保无铅设计。
  这些特性使BUK9Y12-100E成为高性能功率转换电路的理想选择。

应用

该MOSFET广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)
  2. DC-DC转换器
  3. 电机驱动与控制
  4. 负载开关
  5. 电池管理系统(BMS)
  6. 工业自动化设备
  由于其出色的电气特性和可靠性,BUK9Y12-100E特别适合需要高效率和高功率密度的应用场景。

替代型号

NTMFS4828N, IRF3205

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