时间：2025/5/13 16:34:49
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BUK9Y12-100E是一款由安森美（ON Semiconductor）生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能等特点，适用于各种高效功率转换应用。其耐压能力高达100V，非常适合用于DC-DC转换器、电机驱动、负载开关等场景。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：34A
导通电阻（典型值）：1.8mΩ
栅极电荷（典型值）：67nC
输入电容（典型值）：1540pF
总功耗：26W
工作温度范围：-55℃至+175℃
BUK9Y12-100E具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），能够显著降低传导损耗，提高效率。
2. 高额定电流能力，适合大功率应用。
3. 快速开关特性，可减少开关损耗。
4. 增强的热稳定性，确保在高温环境下可靠运行。
5. 提供TO-247封装形式，便于散热设计。
6. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
这些特性使BUK9Y12-100E成为高性能功率转换电路的理想选择。
该MOSFET广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）
2. DC-DC转换器
3. 电机驱动与控制
4. 负载开关
5. 电池管理系统（BMS）
6. 工业自动化设备
由于其出色的电气特性和可靠性，BUK9Y12-100E特别适合需要高效率和高功率密度的应用场景。
NTMFS4828N, IRF3205
