时间：2025/12/27 23:35:18
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DO3308P-103MLB是一款由TDK公司生产的多层片状铁氧体磁珠，属于其IF-LB系列，专为高频噪声抑制设计，广泛应用于高速数字电路、射频（RF）系统以及便携式电子设备中。该器件通过将不需要的高频噪声以热能形式耗散，从而有效提升信号完整性与电磁兼容性（EMC）。其封装尺寸为小型化的0603（公制1608），适合高密度贴装的现代PCB布局需求。DO3308P-103MLB采用先进的叠层陶瓷工艺制造，内部结构由多个铁氧体层与内电极交替堆叠而成，具备优异的高频特性和温度稳定性。该磁珠在保持低直流电阻的同时，能够在目标频段提供较高的阻抗，确保对噪声的有效滤波而不影响有用信号的传输。此外，该型号具有良好的焊接可靠性与机械强度，符合RoHS和REACH环保标准，并支持回流焊工艺，适用于自动化SMT生产线。由于其出色的噪声抑制能力与紧凑的外形，DO3308P-103MLB常用于智能手机、平板电脑、无线通信模块、USB 3.0/Type-C接口、Wi-Fi/BT模块以及其他对EMI敏感的高频电路中，是现代电子产品实现电磁兼容设计的关键被动元件之一。
产品类型：铁氧体磁珠
封装尺寸：0603（英制）/1608（公制）
直流电阻（DCR）：典型值0.25Ω，最大值0.30Ω
额定电流：500mA
标称阻抗：10kΩ @ 100MHz
测试频率：100MHz
阻抗范围：10kΩ ±25%
工作温度范围：-55℃ ~ +125℃
存储温度范围：-55℃ ~ +125℃
焊接方式：表面贴装（SMT）
耐焊接热性：符合JIS C 60068-2标准
环保标准：符合RoHS、REACH规范
DO3308P-103MLB的核心特性在于其卓越的高频噪声抑制性能，这得益于其特殊的铁氧体材料配方与多层结构设计。在100MHz频率下，该磁珠可提供高达10kΩ的标称阻抗，能够有效衰减高速数据线或电源线上常见的共模与差模噪声。相较于传统电感或单一材质磁珠，该器件在GHz频段仍能维持较高的阻抗水平，适用于USB、HDMI、MIPI等高速信号路径中的EMI滤波。其低直流电阻（DCR）仅为0.25Ω，意味着在通过正常工作电流时产生的电压降和功耗极小，不会显著影响系统的电源效率或信号电平，特别适合电池供电的移动设备。
该磁珠的温度稳定性优异，在-55℃至+125℃的工作温度范围内，其电气特性变化较小，确保在极端环境下的长期可靠性。同时，其额定电流为500mA，足以满足大多数低功耗集成电路的供电滤波需求。多层片状结构不仅提升了机械强度，还增强了抗热冲击能力，使其在多次回流焊过程中不易开裂或失效。此外，DO3308P-103MLB具有良好的频率选择性，能在不干扰有用信号的前提下精准抑制特定频段的干扰，例如开关电源产生的谐波或射频模块的本振泄漏。其微型0603封装便于在空间受限的PCB上密集布置，有助于缩小整体产品体积。最后，该器件经过严格的质量控制流程生产，具备高一致性和长寿命，适合工业级与消费级应用。
DO3308P-103MLB主要应用于需要高效电磁干扰（EMI）抑制的高频电子系统中。常见使用场景包括智能手机和平板电脑中的摄像头模组、显示屏背光驱动线路、音频信号路径以及射频前端模块的电源去耦。在USB 3.0、Type-C高速接口中，该磁珠可用于数据线保护，防止高速差分信号引发的辐射发射超标。此外，它也广泛用于Wi-Fi、蓝牙、GPS等无线通信模块的供电网络，以减少射频串扰并提高接收灵敏度。在数字处理器（如SoC、FPGA、MCU）的I/O引脚或电源引脚处，该磁珠可作为局部滤波元件，隔离来自PCB其他部分的噪声干扰。工业控制设备、医疗电子仪器以及车载信息娱乐系统中，若存在敏感模拟电路或高精度ADC/DAC通道，也可采用此磁珠进行噪声隔离。由于其出色的高频响应特性，该器件同样适用于DDR内存总线、MIPI DSI/CSI接口等高速数字链路的信号完整性优化。总之，任何需要在有限空间内实现高性能EMI滤波的设计，均可考虑使用DO3308P-103MLB作为关键的噪声抑制元件。
BLM18PG100SN1D
BLM18AG100SN1D
MMZ1005D102B-T
DLW21HN102XK2L
