品牌：Intel
　　类型：NOR Flash
　　存储容量：4 Mbit
　　组织结构：256K x 16
　　工作电压：2.7V ~ 3.6V
　　访问时间：60 ns
　　封装形式：TSOP-48
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　接口类型：并行
　　写入/擦除电压：内部电荷泵提供
　　编程方式：通过命令寄存器控制
　　擦除方式：扇区或整片擦除
　　总线宽度：16位

E28F400BVT60具备多项关键特性，使其成为嵌入式系统中可靠的非易失性存储解决方案。
　　首先，该芯片采用了Intel专有的StrataFlash技术，结合了NOR Flash的随机访问能力和类似NAND Flash的高密度存储优势，实现了性能与成本的良好平衡。这种技术允许每个存储单元存储多个数据位，显著提升了单位面积内的存储容量，同时保持了较快的读取速度和良好的耐用性。此外，E28F400BVT60支持字节和字两种操作模式，能够灵活适应不同系统的数据总线配置，增强了其兼容性。
　　其次，在可靠性方面，该器件具有出色的耐久性和数据保持能力。典型情况下可支持10万次的编程/擦除周期，确保在频繁更新固件或记录日志的应用中长期稳定运行。数据保存时间可达10年以上，即使在极端环境条件下也能有效防止信息丢失。芯片内置错误检测机制和写保护功能，防止意外写入或误擦除操作，进一步提升系统安全性。
　　再者，E28F400BVT60集成了高效的命令执行引擎，支持标准的JEDEC命令集，用户可通过简单的写入指令完成芯片识别、扇区擦除、编程和查询等操作。其60纳秒的快速访问时间满足大多数实时系统的读取需求，尤其适合用于存放启动代码（Boot Code）、操作系统映像或关键配置参数。
　　最后，该器件采用低功耗设计，在待机模式下电流消耗极低，有助于延长便携式设备的电池寿命。同时支持硬件复位功能和软件掉电模式，便于系统进行电源管理和故障恢复。TSOP-48的小型化封装也节省了PCB空间，适用于对尺寸敏感的设计。

E28F400BVT60主要用于需要中等容量、高可靠性和快速读取响应的嵌入式非易失性存储场景。
　　在通信领域，它常被用作路由器、交换机和基站设备中的固件存储器，用于存放启动引导程序（Bootloader）和操作系统镜像，确保设备上电后能迅速加载运行代码。在工业自动化控制系统中，该芯片可用于保存PLC的配置参数、校准数据或运行日志，其宽温特性和抗干扰能力保障了工厂环境中长时间稳定工作。
　　此外，在医疗仪器、测试测量设备以及POS终端等商用设备中，E28F400BVT60也被广泛采用，作为主控MCU外部扩展的程序存储器。由于其支持XIP（Execute In Place）功能，CPU可直接从Flash中执行代码，无需将程序搬移到RAM，从而简化系统架构并减少内存占用。
　　在汽车电子中，虽然当前主流趋势已转向更高密度和车载认证等级的器件，但在一些老旧车型或辅助模块（如仪表盘、车身控制模块）中仍可见到该型号的身影。同时，由于其接口标准明确且资料相对丰富，该芯片也常被用于教学实验平台和开发评估板中，帮助工程师学习Flash存储器的操作时序和编程方法。
　　随着技术进步，该型号已被后续更高性能的产品所取代，但在备件替换、系统维护和兼容性升级项目中依然具有一定使用价值。

SST39VF400A-60-4C-F5