型号：IRFH8337
　　制造商：Infineon Technologies
　　晶体管类型：N沟道
　　漏源电压（VDS）：30V
　　连续漏极电流（ID）：25A
　　脉冲漏极电流（IDM）：100A
　　导通电阻 RDS(on) max @ VGS = 10V：5.7mΩ
　　导通电阻 RDS(on) typ @ VGS = 10V：4.5mΩ
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：1.0V ~ 2.2V
　　栅极电荷（Qg） typ：11nC @ VGS = 10V
　　输入电容（Ciss） typ：560pF @ VDS = 15V
　　反向恢复时间（trr）：19ns
　　工作结温范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：SuperSO-8 (TSDSON-8)
　　安装类型：表面贴装

IRFH8337的核心优势在于其卓越的导通性能和高效的开关能力，这得益于英飞凌先进的沟槽式MOSFET制造工艺。该器件在VGS=10V时，RDS(on)最大值仅为5.7mΩ，典型值低至4.5mΩ，这一极低的导通电阻显著降低了在大电流条件下的I2R损耗，使得它非常适合用于高效率同步降压转换器或负载开关等需要持续大电流通过的应用。同时，其低栅极电荷（Qg典型值为11nC）意味着驱动电路所需的能量更少，从而减少了驱动损耗并提高了整体系统的能效。这对于高频开关电源尤为重要，因为随着开关频率的提升，开关损耗在整个系统损耗中的占比会显著上升，而IRFH8337通过降低Qg有效缓解了这一问题。
　　该器件的输入电容（Ciss）典型值为560pF，在30V耐压等级的MOSFET中处于较低水平，有助于进一步降低高频工作时的容性损耗。此外，其输出电容（Coss）和反向传输电容（Crss）也经过优化，提升了器件在硬开关和软开关拓扑中的适用性。IRFH8337具备快速的开关响应能力，配合较短的反向恢复时间（trr=19ns），可有效减少体二极管在续流过程中的能量损耗，避免因反向恢复电荷过大导致的电压尖峰和电磁干扰问题，从而增强系统稳定性。
　　在热性能方面，SuperSO-8封装采用了底部散热焊盘设计，可通过PCB上的热过孔将热量迅速传导至主板，实现高效的热管理。即使在高功率密度环境下，也能保持较低的工作结温，延长器件寿命。该MOSFET的工作结温范围宽达-55°C至+150°C，适应严苛的工业和通信环境。其栅极氧化层经过严格测试，具备高耐压能力，防止因过压或静电放电（ESD）造成损坏。此外，器件符合JEDEC标准的可靠性测试要求，确保长期运行的稳定性与一致性。

IRFH8337广泛应用于多种高效率电源转换场景，尤其适用于需要高电流密度和低导通损耗的同步整流电路。其典型应用包括但不限于：服务器和数据中心的多相电压调节模块（VRM），用于为核心处理器（CPU）、图形处理器（GPU）和现场可编程门阵列（FPGA）提供稳定的低压大电流供电；在笔记本电脑、超极本和平板电脑的DC-DC转换器中，作为上下管MOSFET实现高效的降压变换，延长电池续航时间；在电信和网络设备的中间总线转换器（IBC）和负载点电源（POL）中，承担关键的功率开关角色，确保系统在高负载条件下仍保持高能效。
　　此外，该器件也常用于电池管理系统（BMS）中的充放电控制开关，利用其低RDS(on)特性减少发热，提高系统安全性；在LED驱动电源中作为主开关元件，实现精确的恒流控制；还可用于电动工具、无人机和其他便携式设备的电机驱动电路中，提供快速响应和高效能表现。由于其小型化封装和优良的热性能，IRFH8337特别适合空间受限但散热需求较高的应用场景，例如薄型电源适配器、嵌入式计算模块和工业传感器供电单元等。其高可靠性和稳健的电气特性也使其成为工业自动化、医疗电子和汽车辅助系统中非安全关键类电源设计的理想选择。

IRLH8337PbF
　　SISS640DN-T1-GE3
　　FDMC86280S