IRFH8201 时间：2025/6/9 18:14:08 阅读：5

IRFH8201 是一款由英飞凌（Infineon）推出的N沟道功率MOSFET，采用TOLL封装。该器件主要针对高效率和低功耗应用设计，具有非常低的导通电阻（Rds(on)），能够显著减少传导损耗，提高系统效率。IRFH8201广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器以及其他需要高效能功率切换的应用中。
　　这款MOSFET采用了先进的制程技术，能够在高频工作条件下提供出色的性能表现，并且具备良好的热特性和电气特性。

参数

最大漏源电压：50V
　　连续漏极电流：73A
　　导通电阻：0.67mΩ
　　栅极电荷：84nC
　　输入电容：3320pF
　　典型阈值电压：2.8V
　　封装类型：TOLL

特性

IRFH8201具有以下关键特性：
　　1. 极低的导通电阻（Rds(on)），在10V栅极驱动下仅为0.67mΩ，有效降低了传导损耗。
　　2. 高电流处理能力，连续漏极电流可达73A。
　　3. 先进的TOLL封装，具备更优的散热性能和电气连接能力。
　　4. 低栅极电荷设计，有助于减少开关损耗，提升整体效率。
　　5. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
　　6. 耐用性强，适用于严苛的工作环境。

应用

IRFH8201适用于多种电力电子应用领域，包括但不限于：
　　1. 开关模式电源（SMPS）中的功率级开关。
　　2. 工业及消费类电机驱动器。
　　3. DC-DC转换器模块。
　　4. 太阳能逆变器和其他可再生能源发电设备。
　　5. 电动车（EV）和混合动力车（HEV）的车载充电器与电池管理系统。
　　6. 通信电源和不间断电源（UPS）。