时间：2025/7/3 17:20:11
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IRFH7921TRPBF 是一款由英飞凌（Infineon）推出的N沟道增强型MOSFET。该器件采用Trench技术制造，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于多种高效能电源管理应用。其封装形式为PQFN3333-10，能够有效提升功率密度并降低系统损耗。
此器件在设计上注重散热性能与电气特性之间的平衡，适合用于要求高效率、高可靠性的场景。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：28A
导通电阻：1.6mΩ
栅极电荷：36nC
总电容：1250pF
工作结温范围：-55℃ to 175℃
封装类型：PQFN3333-10
IRFH7921TRPBF 的主要特性包括超低的导通电阻（Rds(on)），这使其非常适合需要最小化传导损耗的应用场合。此外，它还具备较低的栅极电荷和输出电荷，从而实现更快的开关速度和更高的工作效率。
由于采用了先进的Trench工艺，该MOSFET能够在高频条件下保持较低的开关损耗，并且支持高达175°C的工作温度，进一步提高了系统的稳定性和可靠性。
同时，PQFN3333-10的小尺寸封装使得其非常适合空间受限的设计环境。
这款MOSFET广泛应用于直流-直流转换器、负载点调节器、电机驱动电路以及电池保护系统等领域。
在计算机和通信设备中，IRFH7921TRPBF 可以作为同步整流管或开关管使用，以提高电源转换效率。在工业自动化领域，它也常被用作高性能逆变器或伺服控制器的核心组件之一。
IRFR7921TRPBF
