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IRFH7921TRPBF 发布时间 时间:2025/7/3 17:20:11 查看 阅读:7

IRFH7921TRPBF 是一款由英飞凌(Infineon)推出的N沟道增强型MOSFET。该器件采用Trench技术制造,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于多种高效能电源管理应用。其封装形式为PQFN3333-10,能够有效提升功率密度并降低系统损耗。
  此器件在设计上注重散热性能与电气特性之间的平衡,适合用于要求高效率、高可靠性的场景。

参数

最大漏源电压:40V
  连续漏极电流:28A
  导通电阻:1.6mΩ
  栅极电荷:36nC
  总电容:1250pF
  工作结温范围:-55℃ to 175℃
  封装类型:PQFN3333-10

特性

IRFH7921TRPBF 的主要特性包括超低的导通电阻(Rds(on)),这使其非常适合需要最小化传导损耗的应用场合。此外,它还具备较低的栅极电荷和输出电荷,从而实现更快的开关速度和更高的工作效率。
  由于采用了先进的Trench工艺,该MOSFET能够在高频条件下保持较低的开关损耗,并且支持高达175°C的工作温度,进一步提高了系统的稳定性和可靠性。
  同时,PQFN3333-10的小尺寸封装使得其非常适合空间受限的设计环境。

应用

这款MOSFET广泛应用于直流-直流转换器、负载点调节器、电机驱动电路以及电池保护系统等领域。
  在计算机和通信设备中,IRFH7921TRPBF 可以作为同步整流管或开关管使用,以提高电源转换效率。在工业自动化领域,它也常被用作高性能逆变器或伺服控制器的核心组件之一。

替代型号

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IRFH7921TRPBF参数

  • 标准包装4,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C15A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C8.5 毫欧 @ 15A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.35V @ 25µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs14nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1210pF @ 15V
  • 功率 - 最大3.1W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-PowerVDFN
  • 供应商设备封装PQFN(5x6)单芯片焊盘
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称IRFH7921TRPBFTR