IRFH5302 时间：2025/12/26 21:10:23 阅读：13

IRFH5302是一款由Infineon Technologies（英飞凌）推出的高性能N沟道功率MOSFET，专为高效率、高频率开关应用而设计。该器件采用先进的Trench MOSFET工艺制造，具有极低的导通电阻（RDS(on)）和优化的栅极电荷特性，能够在大电流条件下实现较低的传导损耗和开关损耗，从而提升整体系统能效。IRFH5302广泛应用于电源管理领域，如DC-DC转换器、同步整流、负载开关、电机驱动以及电池供电设备中的功率控制模块。其封装形式为SO-8（Small Outline 8引脚），具备良好的热性能与空间利用率，适合对PCB面积敏感的紧凑型设计。此外，该器件符合RoHS环保标准，并具备高可靠性，可在工业级温度范围内稳定工作。得益于其优异的电气性能和稳健的设计，IRFH5302在消费电子、工业控制、通信电源及汽车辅助系统中均表现出色，是现代高效能电源架构中的关键组件之一。

参数

型号：IRFH5302
　　类型：N沟道MOSFET
　　封装：SO-8
　　最大漏源电压（VDS）：30V
　　最大连续漏极电流（ID）：19A（TC=25°C）
　　最大脉冲漏极电流（IDM）：76A
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　最大功耗（PD）：2.5W（TC=25°C）
　　导通电阻（RDS(on) max）：4.7mΩ @ VGS=10V, ID=9.5A
　　导通电阻（RDS(on) max）：6.0mθ @ VGS=4.5V, ID=9.5A
　　阈值电压（VGS(th)）：1.0V ~ 2.5V
　　栅极电荷（Qg）：15nC @ VDS=15V, ID=9.5A, VGS=10V
　　输入电容（Ciss）：1020pF @ VDS=15V, f=1MHz
　　反向恢复时间（trr）：18ns
　　工作结温范围（TJ）：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围（Tstg）：-55°C ~ +150°C

特性

IRFH5302采用英飞凌先进的Trench沟道技术，实现了极低的导通电阻与优异的开关性能之间的平衡，使其在高频开关电源中表现尤为出色。其超低RDS(on)特性显著降低了大电流下的导通损耗，提高了系统的整体效率，尤其适用于电池供电设备以延长续航时间。器件的栅极电荷（Qg）仅为15nC，在保持低Qg的同时仍具备高电流驱动能力，有助于减小驱动电路的功耗并加快开关速度，从而降低开关损耗。该MOSFET还具备良好的热稳定性，在高负载条件下仍能维持可靠的性能输出。SO-8封装不仅节省PCB空间，还通过优化引线设计增强了散热能力，支持表面贴装自动化生产，适用于大批量制造场景。器件具备较强的抗雪崩能力和坚固的栅氧化层结构，提升了在瞬态过压或短路情况下的鲁棒性。其阈值电压范围适中，确保在逻辑电平信号下可靠开启，兼容常见的PWM控制器驱动输出。此外，IRFH5302经过严格的质量认证，符合AEC-Q101标准（适用于汽车级应用），具备高可靠性，适合在严苛环境中长期运行。该器件还具有较低的输出电容（Coss）和反馈电容（Crss），有助于减少能量损耗并抑制米勒效应引起的误触发问题，提高系统稳定性。
　　在电磁兼容性方面，IRFH5302表现出良好的噪声抑制能力，适用于对EMI敏感的应用场合。其快速的反向恢复时间（trr=18ns）使得体二极管在续流过程中能够迅速关断，减少了与互补器件之间的交叉导通风险，特别适合用于同步整流拓扑中。总体而言，IRFH5302凭借其卓越的电气参数、紧凑的封装形式和高可靠性，成为现代高效电源系统中理想的功率开关选择，广泛服务于便携式设备、服务器电源、LED驱动及工业电源模块等领域。

应用

IRFH5302广泛应用于需要高效功率转换与控制的电子系统中。典型应用场景包括同步降压变换器（Buck Converter），其中作为上下桥臂开关使用，利用其低RDS(on)和快速开关特性实现高效率电压调节，常见于CPU核心供电、GPU电源管理及FPGA供电模块。在DC-DC模块电源中，该器件用于实现多相并联架构，以支持大电流输出需求。此外，它也常用于负载开关电路，用于控制电源路径的通断，实现上电时序管理或功耗优化。在电池供电设备如笔记本电脑、平板电脑和移动电源中，IRFH5302被用于电源路径管理、充电回路控制和放电保护。在电机驱动领域，可用于小型直流电机或步进电机的H桥驱动电路中，提供高效的功率切换能力。其高可靠性也使其适用于工业自动化设备、网络通信设备电源单元以及汽车信息娱乐系统中的辅助电源设计。由于其符合AEC-Q101标准，部分版本可用于车载环境下的非主驱类电源应用。