RCH106NP-470K是一种多层陶瓷电容器(MLCC),其设计符合高精度和高稳定性要求,适用于各种高性能电子设备。该电容器的标称电容值为47 pF,额定电压为100 V,采用NPO(COG)介质材料,具有极低的电容温度系数和优异的频率稳定性。这种电容器广泛用于射频(RF)电路、滤波器、振荡器以及需要高稳定性和低损耗的场合。
电容值:47 pF
额定电压:100 V
介质材料:NPO(COG)
容差:±10%
封装尺寸:1206(3216公制)
工作温度范围:-55°C至+125°C
绝缘电阻:>10,000 MΩ
温度系数:0 ±30 ppm/°C
RCH106NP-470K的最大特点在于其采用NPO(COG)介质,这种材料提供了非常稳定的电容值,几乎不受温度、电压和时间的影响。其低损耗特性使其非常适合用于高频电路和对稳定性要求极高的应用中。此外,该电容器的结构设计使其具备良好的机械强度和抗湿性能,确保了在各种环境条件下的可靠性。电容器的容差为±10%,允许在制造过程中有一定的灵活性,同时保持性能的稳定。其1206的封装尺寸适用于大多数自动贴片机和回流焊工艺,便于大规模生产和应用。
在电气性能方面,RCH106NP-470K具有极低的等效串联电阻(ESR)和等效串联电感(ESL),这使其在高频下依然保持良好的性能。同时,该电容器的绝缘电阻非常高,超过10,000 MΩ,确保在高阻抗电路中的稳定性。其工作温度范围广泛,从-55°C到+125°C,适用于各种恶劣环境条件下的电子设备。
RCH106NP-470K常用于射频(RF)电路、滤波器、振荡器、定时电路以及精密模拟电路中。由于其高稳定性和低损耗特性,它特别适合用于通信设备、测试仪器、工业控制系统以及汽车电子系统中的关键电路部分。此外,该电容器也广泛应用于电源管理电路和高精度传感器接口电路中。
VJ1206Y470KVJAP, C1206C470KGACTU, GRM32ER71H473KA121