时间：2025/5/9 15:19:12
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IRFH5301TRPBF是一款由Infineon（英飞凌）制造的N沟道增强型MOSFET。该器件采用PQFN5x6-8封装，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，适用于各种功率转换应用，如DC-DC转换器、开关电源和电机驱动等。其设计旨在提供高效率和可靠性，同时减少系统损耗。
最大漏源电压：40V
最大连续漏极电流：22A
导通电阻：3.5mΩ（典型值，Vgs=10V）
栅极电荷：7.9nC（典型值）
输入电容：1220pF（典型值）
总热阻（结到环境）：44°C/W
工作温度范围：-55°C至175°C
IRFH5301TRPBF具备低导通电阻，从而减少了传导损耗，提高了系统的整体效率。
该器件的栅极电荷较小，有助于实现更快的开关速度并降低开关损耗。
PQFN5x6-8封装形式紧凑，适合空间受限的应用场景。
其高雪崩能力和鲁棒性确保了在恶劣条件下的可靠运行。
工作温度范围宽广，适应多种工业和汽车级应用场景。
这款MOSFET广泛应用于消费电子、通信设备以及工业控制领域。
常见的具体应用包括但不限于：同步整流、降压/升压转换器、电池管理系统、负载开关、电机控制和LED驱动电路。
由于其出色的性能表现，IRFH5301TRPBF特别适合对效率和散热要求较高的功率管理解决方案。
IRFH5302TRPBF
IRL540N
IXYS-IXTH30N50T2
