型号：IRFH5250D
　　制造商：Infineon Technologies
　　晶体管类型：N沟道
　　漏源电压（VDS）：20 V
　　连续漏极电流（ID）@25°C：17.6 A
　　脉冲漏极电流（ID_pulse）：70 A
　　栅源电压（VGS）：±12 V
　　导通电阻RDS(on) @4.5V VGS：3.7 mΩ
　　导通电阻RDS(on) @2.5V VGS：5.8 mΩ
　　栅极电荷（Qg）@4.5V：14 nC
　　输入电容（Ciss）：750 pF
　　开启延迟时间（td(on)）：5 ns
　　关断延迟时间（td(off)）：12 ns
　　上升时间（tr）：19 ns
　　下降时间（tf）：10 ns
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：PowerPAK SO-8L

IRFH5250D采用了英飞凌先进的沟槽式MOSFET工艺，显著降低了导通损耗并提升了开关速度。其在4.5V栅极驱动下的典型导通电阻仅为3.7mΩ，使得在大电流应用中能够有效减少功率损耗，提高整体系统效率。这一特性对于电池供电设备尤为重要，因为它有助于延长运行时间和减少发热。
　　该器件还具备极低的栅极电荷（Qg=14nC），这直接降低了驱动电路所需的能量，从而提高了高频开关应用中的动态效率。同时，低输出电容（Coss）和跨导（gd）优化了开关瞬态响应，减少了开关过程中的能量损耗，适合用于DC-DC转换器、同步整流等高频拓扑结构。
　　PowerPAK SO-8L封装不仅尺寸小巧（约3mm x 3mm），而且具有优异的热传导性能，通过裸焊盘设计可将热量高效传递至PCB，提升散热能力。这种封装还减少了寄生电感和电阻，进一步改善了高频性能和EMI表现。
　　IRFH5250D支持逻辑电平驱动，在2.5V至4.5V的VGS范围内即可实现充分导通，兼容现代低压控制IC（如PWM控制器和GPIO输出），无需额外的电平转换电路，简化了系统设计。
　　该MOSFET经过严格的质量认证，具备高可靠性和长寿命，适用于严苛的工作环境。其最大结温高达+150°C，确保在高温环境下仍能稳定运行。此外，内置的体二极管具有快速恢复特性，适用于反向电流续流路径，增强了在感性负载切换时的安全性。

IRFH5250D广泛应用于需要高效率、小尺寸和高电流能力的电源管理系统中。典型应用场景包括便携式消费类电子产品中的负载开关和电源路径管理，例如智能手机、平板电脑和超极本等设备的电池开关或外设供电控制。
　　在DC-DC降压变换器（Buck Converter）中，它常被用作同步整流器，利用其低RDS(on)特性来降低传导损耗，提升转换效率，尤其是在多相供电架构中表现突出。
　　该器件也适用于电机驱动电路，特别是在微型直流电机或步进电机的H桥驱动中，能够提供快速开关能力和良好的热稳定性。
　　此外，IRFH5250D可用于热插拔控制器、OR-ing二极管替代方案以及LED背光驱动电路中，作为高效的开关元件。其高电流承载能力和快速响应特性使其成为高性能电源模块的理想选择。
　　由于其符合AEC-Q101标准的部分等级要求，该器件也可用于汽车电子中的非动力总成应用，如车载信息娱乐系统、照明控制和传感器电源管理等领域。

IRLHS6250, IRLML6250, FDMC8626, SI2323DDS