型号：IRFH5250
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压VDS：60 V
　　最大连续漏极电流ID：243 A
　　最大脉冲漏极电流IDM：790 A
　　最大栅源电压VGS：±20 V
　　导通电阻RDS(on) max @ VGS = 10 V：2.8 mΩ
　　导通电阻RDS(on) max @ VGS = 4.5 V：4.0 mΩ
　　栅极电荷Qg typ：137 nC
　　输入电容Ciss typ：10500 pF
　　开启延迟时间td(on) typ：14 ns
　　关断延迟时间td(off) typ：34 ns
　　反向恢复时间trr typ：47 ns
　　工作结温范围TJ：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：PowerPAK 8x8L

IRFH5250凭借其先进的Trench MOSFET工艺，在多个关键性能指标上表现出卓越水平。首先，其极低的导通电阻是该器件的核心优势之一。在VGS = 10 V条件下，RDS(on)最大值仅为2.8 mΩ，这显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了整体系统效率。对于大电流应用如大功率DC-DC变换器或电机驱动器，这一特性尤为重要，因为它可以直接减少发热，降低对散热系统的要求，从而实现更紧凑的设计。同时，在4.5 V栅极驱动电压下仍能保持4.0 mΩ的低导通电阻，说明该器件具备良好的逻辑电平兼容性，能够与3.3 V或5 V驱动电路良好配合，无需额外的电平转换或高电压驱动器，进一步简化了系统架构。
　　其次，IRFH5250具有优异的开关性能。其典型的总栅极电荷Qg为137 nC，相对较低的栅极电荷意味着驱动电路所需提供的能量更少，有助于降低驱动损耗并提高开关频率。这对于高频工作的电源拓扑（如同步降压转换器）非常有利，可以减小外围无源元件（如电感和电容）的尺寸，提升功率密度。此外，输入电容Ciss典型值为10500 pF，结合较快的开启和关断延迟时间（分别为14 ns和34 ns），使得该MOSFET在快速切换时表现出良好的动态响应能力，减少了交叉导通风险和开关损耗。
　　热性能方面，PowerPAK 8x8L封装提供了优异的热阻特性，典型结到外壳热阻RθJC仅为0.35°C/W，确保在高负载条件下热量能有效传导至PCB或散热器，避免局部过热导致器件失效。器件的工作结温范围宽达-55°C至+175°C，适应极端环境条件，增强了系统的环境适应性和长期运行可靠性。此外，IRFH5250具备高抗雪崩能力，能够承受一定的重复性雪崩能量，提升了在电感负载突然断开或短路故障情况下的鲁棒性。内置的体二极管具有较快的反向恢复时间（trr typ 47 ns），减少了反向恢复电荷，抑制了电压尖峰和电磁干扰，特别适合于需要频繁换向的应用场景。

IRFH5250广泛应用于需要高效、高电流开关能力的电力电子系统中。典型应用包括大功率DC-DC降压和升压转换器，特别是在服务器电源、电信整流模块和工业电源中作为主开关或同步整流器使用。其低导通电阻和高电流承载能力使其成为多相VRM（电压调节模块）的理想选择，能够满足现代高性能CPU和GPU对低电压、大电流供电的需求。在电机控制领域，该器件可用于直流无刷电机（BLDC）或永磁同步电机（PMSM）的逆变桥臂，提供高效的功率切换。此外，在电池管理系统（BMS）和电动工具中，IRFH5250可用于充放电回路的主开关，保障系统的安全与效率。由于其良好的高温工作能力和可靠性，该器件也被用于汽车电子中的车载充电机（OBC）、DC-DC转换器以及辅助电源系统。在太阳能逆变器和UPS不间断电源中，IRFH5250同样可用于高频功率级，提升能量转换效率。其紧凑的封装形式也使其适用于空间受限但功率密度要求高的便携式设备电源设计。

IRFPH5250
　　IRFB4250
　　IRFZ5250