IRFH5007 时间：2025/12/26 19:37:04 阅读：9

IRFH5007是一款由Infineon Technologies（英飞凌）生产的N沟道功率MOSFET，采用先进的沟槽型场效应晶体管技术制造，专为高效率、高性能的电源管理应用而设计。该器件具有低导通电阻（RDS(on)）、快速开关速度和高可靠性，适用于多种电源转换场景，包括DC-DC转换器、负载开关、电机驱动以及电池供电系统等。IRFH5007采用小型化的PowerPAK SO-8L封装，具备良好的热性能和空间利用率，适合在紧凑型电子产品中使用。其栅极阈值电压适中，能够兼容3.3V和5V逻辑电平控制信号，因此可以直接由微控制器或数字信号处理器驱动，无需额外的电平转换电路。此外，该MOSFET还具备优良的雪崩能量耐受能力，增强了系统在瞬态过压情况下的鲁棒性。器件符合RoHS环保标准，并通过了工业级可靠性测试，能够在-55°C至+150°C的结温范围内稳定工作，适用于严苛环境下的电力电子应用。得益于其优化的寄生参数设计，IRFH5007在高频开关条件下仍能保持较低的开关损耗，从而提升整体能效并减少散热需求。

参数

型号：IRFH5007
　　制造商：Infineon Technologies
　　器件类型：N沟道MOSFET
　　封装类型：PowerPAK SO-8L
　　漏源电压（VDS）：20 V
　　栅源电压（VGS）：±12 V
　　连续漏极电流（ID）：19 A（TC=25°C）
　　脉冲漏极电流（IDM）：76 A
　　导通电阻RDS(on)：4.7 mΩ @ VGS = 10 V
　　导通电阻RDS(on)：5.7 mΩ @ VGS = 4.5 V
　　导通电阻RDS(on)：7.0 mΩ @ VGS = 2.5 V
　　栅极电荷（Qg）：11 nC @ VGS = 10 V
　　输入电容（Ciss）：500 pF @ VDS = 10 V
　　反向恢复时间（trr）：10 ns
　　工作结温范围：-55°C 至 +150°C
　　安装类型：表面贴装（SMD）

特性

IRFH5007采用英飞凌先进的沟槽技术，实现了极低的导通电阻与优异的开关性能之间的平衡，使其成为高效电源设计中的理想选择。
　　其RDS(on)在VGS = 10 V时仅为4.7 mΩ，在同类20V N沟道MOSFET中处于领先水平，显著降低了导通状态下的功率损耗，尤其适用于大电流应用场景如同步整流和负载切换。
　　该器件支持低至2.5V的栅极驱动电压，在VGS = 2.5V时仍可实现7.0 mΩ的低导通电阻，展现出出色的低电压驱动能力，这对于由电池供电且工作电压逐渐下降的便携式设备尤为重要。
　　PowerPAK SO-8L封装不仅体积小巧（典型尺寸约5mm x 6mm），而且具有优异的热传导性能，底部带有裸露焊盘，可通过PCB有效散热，提升功率密度和长期运行可靠性。
　　该MOSFET具备较低的栅极电荷（Qg = 11nC）和米勒电容（Crss），有助于减少驱动损耗和提高开关速度，从而在高频PWM控制中实现更高的系统效率。
　　内部寄生二极管具有较快的反向恢复时间（trr = 10ns），降低了在桥式电路或感性负载切换过程中产生的反向恢复损耗和电磁干扰（EMI）。
　　器件经过严格的质量认证，具备高抗雪崩能力和坚固的栅氧化层设计，能够在电压瞬变和负载突变等异常工况下保持稳定运行，提升了系统的整体安全性。
　　此外，IRFH5007具有良好的 manufacturability，适用于自动化贴片生产线，并支持无铅回流焊接工艺，满足现代电子产品绿色制造的要求。

应用

IRFH5007广泛应用于需要高效率、小尺寸和高可靠性的电源管理系统中。
　　在笔记本电脑、平板电脑和智能手机等便携式电子设备中，常用于电池电源路径管理、多路电源选择开关以及DC-DC降压/升压变换器的同步整流部分，凭借其低RDS(on)和小封装优势，可在有限空间内实现高效的能量传输。
　　在服务器和通信设备的板级电源模块中，该器件可用于POL（Point-of-Load）转换器，作为高端或低端开关管，提供快速动态响应和低静态功耗。
　　此外，在电机驱动电路中，特别是微型直流电机或步进电机的H桥驱动拓扑中，IRFH5007因其快速开关特性和耐受短时过流的能力，可有效提升驱动效率并减少发热。
　　它也适用于USB Type-C PD电源接口中的负载开关，能够安全地接通和断开高达数安培的输出电流，同时防止反向电流流动。
　　在LED照明驱动、热插拔控制器和电源冗余切换电路中，该MOSFET同样表现出色，提供低延迟、低损耗的开关功能。
　　由于其兼容逻辑电平驱动，还可被微控制器直接控制，简化了控制电路设计，降低了系统成本。