类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：60V
　　连续漏极电流（ID）@25°C：95A
　　脉冲漏极电流（IDM）：380A
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）@VGS=10V：4.7mΩ
　　导通电阻（RDS(on)）@VGS=4.5V：6.8mΩ
　　导通电阻（RDS(on)）@VGS=2.5V：11mΩ
　　阈值电压（VGS(th)）@ID=250μA：1.2V ~ 2.0V
　　输入电容（Ciss）@VDS=30V：3420pF
　　输出电容（Coss）@VDS=30V：1080pF
　　反向恢复时间（trr）：25ns
　　二极管正向电压（VSD）：1.3V @ IS=95A
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装：TSDSON-8 (PowerSO-8)

IRFH5006具备多项先进电气与结构特性，使其成为高效功率管理系统的理想选择。首先，其极低的导通电阻在不同栅压下均表现优异，例如在VGS=10V时RDS(on)仅为4.7mΩ，在VGS=4.5V时仍可维持在6.8mΩ，这显著降低了导通损耗，提升了整体能效。特别地，该器件在低至2.5V的栅极驱动电压下仍能有效导通（RDS(on)=11mΩ），兼容现代低压微控制器和逻辑IC输出，无需额外电平转换电路，简化了系统设计并降低成本。
　　其次，IRFH5006采用了英飞凌成熟的沟道MOSFET工艺，优化了载流子迁移率和单元密度，从而实现了高电流处理能力。其连续漏极电流高达95A（在25°C下），脉冲电流可达380A，适合应对短时大电流冲击场景，如电机启动或电源软启动过程。这种高电流能力结合小型TSDSON-8封装，体现了出色的电流密度性能。
　　再者，该器件具有较低的栅极电荷（Qg）和米勒电荷（Qsw），有助于减少开关损耗，提升高频操作下的效率。配合快速的开关速度和较短的反向恢复时间（trr=25ns），能够有效抑制体二极管反向恢复带来的电压振铃和电磁干扰，提高系统稳定性。此外，器件的工作结温范围宽达-55°C至+175°C，可在严苛环境温度下稳定运行，适用于工业、汽车及户外设备等应用场景。
　　封装方面，TSDSON-8为无引线薄型封装，底部带有散热焊盘，可通过PCB上的热过孔将热量高效传导至内层或背面，极大改善热阻性能。这种封装不仅节省空间，还增强了散热能力，使器件在高功率密度条件下仍能保持低温运行。综合来看，IRFH5006在导通性能、开关特性、热管理与封装集成度等方面达到了良好平衡，是高性能功率开关设计中的优选器件。

IRFH5006广泛应用于需要高效、高电流开关能力的电子系统中。典型应用包括同步整流式DC-DC降压变换器（Buck Converter），尤其是在服务器电源、VRM（电压调节模块）和POL（点负载）电源中作为高端或低端开关使用，利用其低RDS(on)降低导通损耗，提高转换效率。此外，它也常用于电池供电系统中的功率开关或负载开关，例如便携式工业设备、电动工具和无人机电源管理，其中低导通电阻可延长电池续航时间。
　　在电机控制领域，IRFH5006可用于H桥或半桥拓扑中的功率开关，驱动直流有刷电机或步进电机，其高脉冲电流能力确保电机启动和堵转时的可靠运行。同时，该器件适用于热插拔控制器和OR-ing电路，提供快速响应的过流保护和电源冗余切换功能。
　　在汽车电子中，尽管该器件未明确标定为AEC-Q101认证，但其宽温度范围和高可靠性使其可用于非安全关键类车载电源系统，如车载充电器辅助电源、车身控制模块或车灯驱动等。此外，还可用于太阳能逆变器、LED驱动电源、工业PLC输出级以及各类高密度电源模块中，作为主开关或同步整流元件。其逻辑电平兼容性也使其易于与DSP、MCU或专用驱动IC直接接口，进一步扩展了应用灵活性。

IRLHS6006
　　IRF7832
　　SiR144DP
　　AOZ6321