IRFH4210PBF 时间：2025/8/1 18:40:54 阅读：24

IRFH4210PBF是一款由Infineon Technologies生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件广泛应用于需要高效能和高可靠性的场合，如电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及电动工具和汽车电子系统等。IRFH4210PBF采用了先进的沟槽式技术，提供低导通电阻（Rds(on)）和高电流处理能力，从而在高频率开关应用中表现出色。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：100V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：310A（在Tc=25°C时）
　　功耗(Pd)：280W
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装类型：TO-220AB
　　导通电阻(Rds(on))：最大值为2.7mΩ（典型值可能更低）
　　阈值电压(Vgs(th))：2V至4V

特性

IRFH4210PBF具有多项高性能特性。其低导通电阻显著降低了导通损耗，提高了能效，特别适合于高电流应用场景。该器件的高栅极电荷（Qg）设计使其在高频开关操作中表现稳定，同时减少了开关损耗。IRFH4210PBF具备优良的热稳定性，能够在高温环境下可靠运行，确保系统长时间工作的稳定性。此外，该MOSFET具有高雪崩能量耐受能力，增强了在高应力条件下的耐用性。封装形式为TO-220AB，便于散热和安装，并且适用于通孔焊接工艺。

应用

IRFH4210PBF常用于多种高功率电子设备中，包括DC-DC转换器、同步整流器、电源管理系统、电动工具和电池供电设备。在汽车电子领域，该器件可应用于车载充电器、电机控制和电源模块。此外，它也适用于工业自动化设备、UPS系统、太阳能逆变器以及高功率LED照明驱动电路。由于其优异的电气性能和可靠性，IRFH4210PBF是设计高性能功率电路的理想选择。