时间：2025/8/6 10:14:41
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IXGH25N100是一款由IXYS公司生产的高功率N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于高电压和高电流的电力电子系统中。该器件具有较高的耐压能力和较大的电流承载能力，适用于如电源转换器、电机驱动、不间断电源（UPS）以及工业控制系统等场合。IXGH25N100采用TO-264封装，具有良好的热管理和电气性能，能够满足高可靠性应用场景的需求。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：25A
最大漏源电压（VDS）：1000V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：0.45Ω（典型值）
栅极电荷（Qg）：90nC（典型值）
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装类型：TO-264
IXGH25N100具备多项优异的电气和热性能。首先，其高耐压能力（1000V VDS）使其适用于高压直流电源转换器和功率因数校正（PFC）电路。其次，低导通电阻（RDS(on)）有助于减少导通损耗，提高系统效率。此外，该MOSFET的栅极电荷较低，使得开关损耗降低，适用于高频开关应用。TO-264封装设计提供了良好的散热性能，确保在高功率操作下器件的稳定性与可靠性。此外，该器件具备良好的短路耐受能力，提高了在极端工况下的安全性。IXGH25N100还具有快速恢复二极管特性，适用于需要快速开关的应用场景。
在驱动方面，IXGH25N100的栅极电压范围为±20V，允许使用标准的MOSFET驱动器进行控制。其内部结构优化了电场分布，减少了雪崩击穿的风险，提高了器件的耐用性。同时，该MOSFET具有良好的热循环稳定性，适用于各种恶劣环境条件下的长期运行。这些特性使得IXGH25N100成为高功率、高效率电力电子系统的理想选择。
IXGH25N100广泛应用于需要高电压和高电流能力的电力电子设备中。常见的应用包括高压DC-DC转换器、功率因数校正（PFC）模块、不间断电源（UPS）、电机驱动器、工业自动化系统以及电焊设备。此外，该MOSFET也可用于高频开关电源和逆变器系统，提供高效的能量转换能力。在新能源领域，如太阳能逆变器和储能系统中，IXGH25N100也发挥着重要作用，确保系统在高压环境下稳定运行。由于其良好的热管理和电气性能，该器件在高可靠性要求的应用中也受到青睐，如航空航天和工业控制设备。
STW25NK10Z, FGH25N100, IXFH25N100
