时间：2025/7/4 0:11:08
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IRFH3702TRPBF 是一款由英飞凌（Infineon）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用先进的 Trench 工艺制造，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，适用于多种高效能电源转换应用。它采用 TO-263-3 (DPAK) 封装形式，支持表面贴装技术 (SMT)，能够承受较大的电流负载并保持较低的热阻。
IRFH3702TRPBF 的低 Rds(on) 特性使其非常适合于 DC-DC 转换器、电机驱动、负载切换以及便携式电子设备中的电源管理电路。
最大漏源电压：55V
连续漏极电流：18A
导通电阻（Rds(on)）：3.9mΩ
栅极电荷：41nC
功耗：11W
工作结温范围：-55℃ to +175℃
封装类型：TO-263-3 (DPAK)
IRFH3702TRPBF 提供了极低的导通电阻 (Rds(on))，从而减少了传导损耗，并提升了整体效率。其 3.9mΩ 的典型导通电阻使得这款 MOSFET 成为高性能开关应用的理想选择。
此外，该器件具备高雪崩能力，可以在异常条件下提供额外保护。同时，快速开关性能降低了开关损耗，进一步提高了系统的效能。
由于采用了 DPAK 封装，IRFH3702TRPBF 具有良好的散热性能，适合高功率密度的应用场景。其紧凑的尺寸也方便设计人员进行小型化电路布局。
IRFH3702TRPBF 广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源 (SMPS)
2. DC-DC 转换器
3. 电池管理系统 (BMS)
4. 电机驱动与控制
5. 汽车电子系统中的负载切换
6. 工业自动化设备中的功率控制
7. 通信电源及 UPS 系统
8. 各种消费类电子产品的适配器和充电器
IRFH3703TRPBF, IRFH3704TRPBF
