类型：P沟道
　　极性：增强型
　　漏源电压(VDSS)：-100V
　　栅源电压(VGS)：±20V
　　连续漏极电流(ID)：-4.6A
　　脉冲漏极电流(IDM)：-18A
　　导通电阻(RDS(on))：0.075Ω @ VGS = -10V
　　导通电阻(RDS(on))：0.1Ω @ VGS = -4.5V
　　阈值电压(VGS(th))：-2.0V ~ -4.0V
　　输入电容(Ciss)：520pF @ VDS = 50V
　　输出电容(Coss)：140pF @ VDS = 50V
　　反向恢复时间(trr)：52ns
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装类型：TO-220, D2PAK

IRFF9320采用英飞凌成熟的沟槽栅技术，确保了器件在高压应用中的优异性能和稳定性。其核心特性之一是具备较低的导通电阻（RDS(on)），在VGS = -10V时仅为75mΩ，这显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统的整体能效。对于P沟道MOSFET而言，这一水平的导通电阻属于行业领先水平，特别适用于需要高效能量转换的应用场景。此外，该器件在较低的栅极驱动电压（如-4.5V）下仍能保持相对较低的RDS(on)（约100mΩ），使其兼容3.3V或5V逻辑电平控制，无需额外的电平转换电路即可直接由微控制器驱动。
　　另一个关键特性是其出色的热性能和可靠性。IRFF9320的最大结温可达+175°C，并且具有较低的热阻（RθJC），有助于将热量快速传递至散热器或PCB，从而延长器件寿命并提升系统稳定性。器件还内置了对雪崩击穿的耐受能力，意味着在感性负载关断过程中产生的电压尖峰不会轻易导致永久性损坏，这对于电机驱动、继电器开关等存在反电动势的场合尤为重要。同时，该MOSFET具备良好的dv/dt抗扰能力，减少了误触发的风险。
　　从安全角度看，IRFF9320支持高达±20V的栅源电压，提供了足够的裕量以防止因噪声或瞬态干扰引起的栅极击穿。其阈值电压范围合理（-2.0V至-4.0V），既能保证充分关断，又能在正常操作下可靠导通。输入和输出电容值适中，平衡了开关速度与驱动功耗之间的关系，使得它在高频开关应用中也能表现出色。总体而言，IRFF9320凭借其高性能参数、坚固的设计和广泛的适用性，成为工业控制、汽车电子和消费类电源系统中理想的高端开关解决方案。

IRFF9320常用于各类需要高侧开关控制的电源管理系统中，尤其适合P沟道MOSFET典型应用场景。例如，在电池供电设备中，该器件可用于主电源开关，实现待机模式下的零静态电流消耗，从而延长电池续航时间。在DC-DC降压或升压转换器中，它可作为同步整流器或主开关元件，配合控制器完成高效的能量转换。此外，由于其支持高端驱动，常被用于H桥电机驱动电路中的上桥臂开关，控制直流电机的启停与方向切换，避免使用复杂的电荷泵电路来驱动N沟道MOSFET。
　　在工业自动化领域，IRFF9320可用于PLC模块中的固态继电器替代方案，提供无触点、长寿命的负载控制功能，适用于电磁阀、指示灯、小型加热元件等执行机构的通断控制。在汽车电子系统中，该器件可用于车身控制模块（BCM）、车灯控制单元或车载充电器等子系统，承担电源分配与故障保护任务。得益于其宽泛的工作温度范围（-55°C至+175°C）和高可靠性，IRFF9320也适用于严苛环境下的嵌入式应用。
　　此外，该器件还可用于UPS不间断电源、逆变器、太阳能控制器等电力电子装置中，执行输入电源选择、反向电流阻断或过载保护等功能。其快速的开关响应能力和较低的导通损耗使其在频繁启停或动态负载变化的系统中表现优异。综上所述，IRFF9320凭借其电气性能和封装优势，广泛服务于消费电子、工业控制、汽车电子及绿色能源等多个领域，是一款通用性强、性价比高的功率开关器件。

IRF9Z34N