您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > IS61NLP102418-200B3

IS61NLP102418-200B3 发布时间 时间:2025/12/28 17:59:06 查看 阅读:51

IS61NLP102418-200B3是一款高速、低功耗的静态随机存取存储器(SRAM),由ISSI(Integrated Silicon Solution Inc.)制造。该芯片属于高性能的18位SRAM系列,适用于需要快速数据访问和低功耗运行的应用场景。该SRAM的容量为1Mbit(1024K x 18位),采用同步架构,工作频率可达200MHz,使其在需要高速数据处理的系统中表现出色。IS61NLP102418-200B3采用小型化封装设计,便于集成到紧凑型电子设备中。

参数

容量:1Mbit
  组织方式:1024K x 18
  电源电压:2.3V - 3.6V
  最大访问时间:5.4ns
  最大工作频率:200MHz
  封装类型:165-BGA
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  接口类型:并行
  功耗:典型值150mA(待机模式下小于10mA)

特性

IS61NLP102418-200B3 SRAM芯片具备多项优异特性。首先,它具有高速访问能力,最大频率可达200MHz,适用于高性能嵌入式系统和数据处理设备。其次,该芯片采用低功耗设计,在正常工作模式下功耗较低,且具备待机模式,进一步降低功耗,适用于电池供电或对功耗敏感的应用场景。此外,该SRAM具有宽电压供电范围(2.3V至3.6V),增强了其在不同系统环境中的适应性。其封装形式为165-BGA,体积小巧,便于PCB布局和高密度集成。IS61NLP102418-200B3还具有良好的温度适应性,可在-40°C至+85°C的工业级温度范围内稳定工作,适用于工业控制、通信设备和汽车电子等多种环境。
  此外,该芯片具有高可靠性,支持无限次读写操作,适合缓存、帧缓冲和高速数据缓冲等应用。它还支持异步和同步两种操作模式,提供更大的系统设计灵活性。内置的自我刷新机制确保数据在长时间运行中的稳定性,减少外部控制器负担。整体来看,IS61NLP102418-200B3是一款适用于多种高性能应用的SRAM解决方案。

应用

IS61NLP102418-200B3 SRAM广泛应用于高性能嵌入式系统、网络设备、通信基础设施、工业自动化控制系统、汽车电子模块、医疗设备和高端消费电子产品。其高速存取和低功耗特性使其特别适用于需要快速数据缓存和实时处理的应用场景,如路由器、交换机、图像处理系统、数据采集模块和嵌入式视频系统。

替代型号

IS61NLP102418-200B4, CY7C1370B, CY7C1380B, IDT71V416, IS64WV25616EDBLL

IS61NLP102418-200B3推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

IS61NLP102418-200B3资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载

IS61NLP102418-200B3参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列-
  • 包装托盘
  • 产品状态停产
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式SRAM
  • 技术SRAM - 同步,SDR
  • 存储容量18Mb
  • 存储器组织1M x 18
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率200 MHz
  • 写周期时间 - 字,页-
  • 访问时间3.1 ns
  • 电压 - 供电3.135V ~ 3.465V
  • 工作温度0°C ~ 70°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳165-TBGA
  • 供应商器件封装165-TFBGA(13x15)