时间：2025/5/7 18:19:46
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IRFD113是一款由英飞凌（Infineon）生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用TO-252表面贴装封装，适用于多种开关和功率转换应用。IRFD113以其低导通电阻、高开关速度和良好的热性能而闻名，适合用于电信设备、工业电源、DC-DC转换器和消费类电子产品中的功率管理电路。
这款MOSFET具有出色的效率和可靠性，能够在高频开关条件下保持稳定的性能表现。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：4.7A
导通电阻（典型值）：0.18Ω
栅极电荷（典型值）：3nC
总电容（输入电容）：330pF
最大功耗：1.1W
工作结温范围：-55℃至+150℃
IRFD113具有低导通电阻，可显著降低导通损耗，从而提高系统效率。
其快速开关性能使其非常适合高频应用，并能减少开关过程中的能量损失。
由于采用了先进的制造工艺，该器件的热阻较低，有助于提升散热能力并延长使用寿命。
此外，IRFD113的封装形式紧凑，便于在空间受限的设计中使用。
IRFD113广泛应用于各种需要高效功率转换的场景，例如：
1. 开关电源（SMPS）
2. DC-DC转换器
3. 电机驱动控制
4. 负载开关
5. 电池管理系统
6. 工业自动化设备
7. 消费电子产品的电源模块
它特别适合需要高频率和低功耗的应用场合。
IRLML2402
Si2302DS
FDMC8622
