时间：2025/6/24 3:37:18
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IRFBF20PBF-BE3 是一款高性能的 P 沟道功率 MOSFET，由英飞凌（Infineon）生产。该器件采用 TO-263 封装形式，广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、负载开关以及电机控制等场景。
这款 MOSFET 的设计使其具备较低的导通电阻和较高的电流处理能力，能够有效减少能量损耗并提高系统效率。此外，其快速开关特性也使得它在高频应用中表现出色。
最大漏源电压：55V
连续漏极电流：-14A
导通电阻（典型值）：75mΩ
栅极电荷：25nC
总功耗：25W
工作温度范围：-55℃ 至 175℃
封装形式：TO-263
IRFBF20PBF-BE3 的主要特点是低导通电阻和高电流承载能力，这使其能够在大电流应用中保持较低的功耗。
此外，它的快速开关速度可以减少开关损耗，从而提高整体效率。
由于采用了 TO-263 封装，该器件具有良好的散热性能，并且易于安装在 PCB 上。
其工作温度范围宽广，适应各种恶劣环境下的应用需求。
此外，该器件还具有较高的雪崩耐量能力，增强了其在异常条件下的可靠性。
IRFBF20PBF-BE3 广泛用于需要高效功率转换的场合，包括但不限于以下领域：
- 开关电源 (SMPS)
- DC-DC 转换器
- 电机驱动与控制
- 负载开关
- 过流保护电路
- 工业自动化设备中的功率管理模块
其低导通电阻和快速开关特性特别适合高频开关应用，同时其稳健的设计也确保了长期运行的可靠性。
IRF5305, IRFP9240
