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IRFBC20LPBF 发布时间 时间:2023/3/8 11:21:45 查看 阅读:488

    类别:分离式半导体产品

    家庭:MOSFET,GaNFET - 单

    系列:-

  


目录

概述

    类别:分离式半导体产品

    家庭:MOSFET,GaNFET - 单

    系列:-

    FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物

    FET 特点:标准型

    开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:4.4 欧姆 @ 1.3A, 10V

    漏极至源极电压(Vdss):600V

    电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:2.2A

    Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250μA

    闸电荷(Qg) @ Vgs:18nC @ 10V

    在 Vds 时的输入电容(Ciss) :350pF @ 25V

    功率 - 最大:3.1W

    安装类型:通孔

    封装/外壳:I2Pak, TO-262 (3 直引线 + 接片)

    包装:管件

    供应商设备封装:*

    其它名称:*IRFBC20LPBF


资料

厂商
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IRFBC20LPBF参数

  • 数据列表IRFBC20S
  • 标准包装1,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)600V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C2.2A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C4.4 欧姆 @ 1.3A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs18nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds350pF @ 25V
  • 功率 - 最大3.1W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
  • 供应商设备封装TO-262-3
  • 包装管件
  • 其它名称*IRFBC20LPBF