时间：2025/5/12 17:25:12
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K9NCG08U5M-PCB0 是由三星（Samsung）生产的一款NAND闪存芯片，采用MLC（多层单元）技术。这款芯片主要用于数据存储设备，如固态硬盘（SSD）、USB闪存盘、嵌入式存储模块等。它具备高容量、低功耗和高速读写性能的特点，能够满足现代电子设备对大容量存储的需求。
存储容量：64Gbit
工作电压：2.7V~3.6V
接口类型：Toggle DDR 2.0
封装形式：BGA
数据传输速率：最高可达400MB/s
擦写次数：3000次（典型值）
工作温度范围：-25°C至+85°C
引脚数：169
K9NCG08U5M-PCB0 采用了先进的制程工艺，具备以下特点：
1. 高密度存储能力，适合需要大容量的应用场景。
2. 支持Toggle DDR 2.0 接口协议，提供更快的数据传输速度。
3. 内置ECC（错误检查与纠正）功能，提升数据的可靠性和完整性。
4. 良好的耐久性设计，保证在多次擦写操作中保持稳定性能。
5. 支持页模式操作，优化了随机读写的效率。
6. 符合RoHS标准，绿色环保，适用于多种消费类和工业类产品。
该芯片广泛应用于以下领域：
1. 固态硬盘（SSD），作为主要存储介质。
2. USB闪存盘和存储卡，提供高容量便携存储解决方案。
3. 嵌入式系统中的数据存储模块。
4. 工业控制设备和网络设备中的非易失性存储部分。
5. 消费电子产品，例如智能电视、机顶盒等的内置存储组件。
K9NCG08U1M-PCK0, K9NCG08U5M-BCK0
