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IRFB7537PBF 发布时间 时间:2025/4/30 18:38:13 查看 阅读:2

IRFB7537PBF是一款由英飞凌(Infineon)生产的N沟道功率MOSFET。该器件采用PQFN5x6封装,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适合用于需要高效能和小尺寸的应用场合。
  这款MOSFET广泛应用于DC-DC转换器、负载开关、同步整流以及电机驱动等电路中。其低导通电阻特性能够有效减少功耗,提高系统效率。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:18A
  导通电阻(Rds(on)):2.8mΩ(典型值,Vgs=10V时)
  栅极电荷:46nC
  开关时间:开启延迟时间6ns,上升时间9ns;关断传播时间17ns,下降时间9ns
  结温范围:-55℃至175℃

特性

IRFB7537PBF的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻,能够在大电流条件下保持较低的功耗。
  2. 快速的开关速度,有助于减少开关损耗并提升效率。
  3. 小型化的PQFN5x6封装设计,非常适合空间受限的应用场景。
  4. 高工作温度范围,使其适用于严苛的工作环境。
  5. 具备良好的热稳定性和可靠性,延长了器件的使用寿命。
  6. 符合RoHS标准,环保无铅设计。

应用

该芯片主要应用于以下领域:
  1. DC-DC转换器中的功率开关。
  2. 各类电源管理模块,如负载开关和同步整流。
  3. 电机驱动电路,用于控制电机的启停及调速。
  4. 开关电源(SMPS)中的高频开关元件。
  5. 数字多相控制器中的功率级组件。
  6. 消费类电子设备,如笔记本电脑适配器、平板电脑充电器等。

替代型号

IRLR7845PbF, FDP5580, AO3402A

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IRFB7537PBF参数

  • 现有数量73现货
  • 价格1 : ¥17.57000管件
  • 系列HEXFET?, StrongIRFET?
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)60 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)173A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)6V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)3.3 毫欧 @ 100A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)3.7V @ 150μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)210 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)7020 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)230W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 供应商器件封装TO-220AB
  • 封装/外壳TO-220-3