时间：2025/4/30 18:38:13
阅读：17
IRFB7537PBF是一款由英飞凌（Infineon）生产的N沟道功率MOSFET。该器件采用PQFN5x6封装，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适合用于需要高效能和小尺寸的应用场合。
这款MOSFET广泛应用于DC-DC转换器、负载开关、同步整流以及电机驱动等电路中。其低导通电阻特性能够有效减少功耗，提高系统效率。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：18A
导通电阻（Rds(on)）：2.8mΩ（典型值，Vgs=10V时）
栅极电荷：46nC
开关时间：开启延迟时间6ns，上升时间9ns；关断传播时间17ns，下降时间9ns
结温范围：-55℃至175℃
IRFB7537PBF的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻，能够在大电流条件下保持较低的功耗。
2. 快速的开关速度，有助于减少开关损耗并提升效率。
3. 小型化的PQFN5x6封装设计，非常适合空间受限的应用场景。
4. 高工作温度范围，使其适用于严苛的工作环境。
5. 具备良好的热稳定性和可靠性，延长了器件的使用寿命。
6. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
该芯片主要应用于以下领域：
1. DC-DC转换器中的功率开关。
2. 各类电源管理模块，如负载开关和同步整流。
3. 电机驱动电路，用于控制电机的启停及调速。
4. 开关电源（SMPS）中的高频开关元件。
5. 数字多相控制器中的功率级组件。
6. 消费类电子设备，如笔记本电脑适配器、平板电脑充电器等。
IRLR7845PbF, FDP5580, AO3402A
