IRFB7537PBF是一款由英飞凌(Infineon)生产的N沟道功率MOSFET。该器件采用PQFN5x6封装,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适合用于需要高效能和小尺寸的应用场合。
这款MOSFET广泛应用于DC-DC转换器、负载开关、同步整流以及电机驱动等电路中。其低导通电阻特性能够有效减少功耗,提高系统效率。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:18A
导通电阻(Rds(on)):2.8mΩ(典型值,Vgs=10V时)
栅极电荷:46nC
开关时间:开启延迟时间6ns,上升时间9ns;关断传播时间17ns,下降时间9ns
结温范围:-55℃至175℃
IRFB7537PBF的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻,能够在大电流条件下保持较低的功耗。
2. 快速的开关速度,有助于减少开关损耗并提升效率。
3. 小型化的PQFN5x6封装设计,非常适合空间受限的应用场景。
4. 高工作温度范围,使其适用于严苛的工作环境。
5. 具备良好的热稳定性和可靠性,延长了器件的使用寿命。
6. 符合RoHS标准,环保无铅设计。
该芯片主要应用于以下领域:
1. DC-DC转换器中的功率开关。
2. 各类电源管理模块,如负载开关和同步整流。
3. 电机驱动电路,用于控制电机的启停及调速。
4. 开关电源(SMPS)中的高频开关元件。
5. 数字多相控制器中的功率级组件。
6. 消费类电子设备,如笔记本电脑适配器、平板电脑充电器等。
IRLR7845PbF, FDP5580, AO3402A